【技术实现步骤摘要】
存储装置
[0001]本专利技术是涉及一种电子电路，尤其涉及一种存储装置。
技术介绍
[0002]随着电子科技的演进，能够提供长效且大量的数据存储的功能的非易失性存储成为主要的数据存储媒介，其中快闪存储更是其中一种主流的存储装置。为了提升电子装置的能源使用效率，快闪存储除了使电子装置要存取数据时的主动模式(active mode)外，还具有低功耗的待机模式(standby mode)。
[0003]然而，为了让快闪存储能快速地从待机模式切换回主动模式，在待机模式中，电压产生器电路仍需要工作以提供高电压给耦接存储阵列的字线。
[0004]为了省电，快闪存储的电路通常针对主动模式与待机模式而配置有两个电压产生电路，其中针对待机模式的电压产生电路会具有较低的功耗。如此一来，虽然能够降低快闪存储的功耗，但额外的电压产生电路却造成存储的电路面积增加以及需要使用的电子组件增加。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种存储装置，具有电路面积缩小化、电路组件简单化以及降低待机电流的优点。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：存储单元阵列；以及电压产生电路，电性连接所述存储单元阵列且包括：主动电压电路，用以当所述存储装置在主动模式时输出给所述存储单元阵列的操作电压；以及感测电路，用以当所述存储装置在待机模式时感测所述操作电压并且在所述操作电压下降至低于临界值后短暂启动所述主动电压电路以拉升所述操作电压。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述感测电路包括：电容器，一端耦接于所述主动电压电路的输出端且另一端耦接感测节点；以及感测晶体管，一端用以接收参考电压，另一端耦接反应节点，其控制端耦接所述感测节点，其中，在感测期间中，所述感测节点上的电压随所述操作电压变化，以及当所述操作电压低于所述临界值时，所述感测晶体管被导通。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述感测电路包括：启动晶体管，一端用以接收所述参考电压，另一端耦接所述反应节点，其控制端耦接所述感测节点；开关晶体管，一端耦接所述感测节点，另一端耦接所述反应节点，其中，在启动期间中，所述开关晶体管被导通以对应地导通所述启动晶体管且截止所述感测晶体管，以及所述主动电压电路被启动以将所述操作电压拉回至目标电压值。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中所述感测晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：林哲逸，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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