晶片的加工方法和磨削装置制造方法及图纸

技术编号:33252765 阅读:29 留言:0更新日期:2022-04-30 22:51
本发明专利技术提供晶片的加工方法和磨削装置,用于抑制产生保护带从因背面磨削而直径变小的晶片的正面探出所引起的不良情况。一种晶片的加工方法,该晶片在外周形成有倒角部,其中,该晶片的加工方法包含如下的步骤:带粘贴步骤,在晶片的正面上粘贴保护带,并且使保护带的直径与晶片的直径相同;磨削步骤,利用磨削磨具对保持工作台所保持的晶片的背面进行磨削而使晶片的厚度薄化成比原本的厚度的一半薄,从而晶片的直径缩小,保护带形成从晶片探出的探出部;以及收缩步骤,在实施了磨削步骤之后,对保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法和磨削装置


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法和磨削装置,该晶片在外周形成有倒角部。

技术介绍

[0002]以往,在进行半导体器件的制造工艺中的对晶片(半导体晶片)的背面磨削时,为了保护晶片的正面的器件,在晶片的正面上粘贴保护带。
[0003]然后,在晶片的背面磨削后,例如使用剥离带将保护带剥离。在剥离保护带时,将粘接力强的剥离带(剥离用带)粘贴在保护带上,通过拉起剥离带而使保护带与剥离带一起剥离。
[0004]具体而言,如图9的(A)所示,在晶片70的正面70a侧粘贴保护带72,对晶片70的背面70b侧进行磨削。然后,在背面磨削后,如图9的(B)所示,将晶片70的正背面翻转,背面70b侧粘贴在划片带74上,并且以跨越保护带72的边缘部分的方式将剥离带76按压并粘贴在保护带72上,然后通过拉起剥离带76而使保护带72从晶片70剥离。
[0005]在专利文献1中,公开了用于提供、粘贴、切断该剥离带(剥离用带)的带切割器(剥离用带切割器)的构造。
[0006]专利文献1:日本特开2019
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法,该晶片在外周形成有倒角部,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:带粘贴步骤,在该晶片的正面上粘贴保护带,并且使该保护带的直径与该晶片的直径相同;保持步骤,隔着该保护带利用保持工作台对该晶片进行保持而使背面露出;磨削步骤,利用磨削磨具对该保持工作台所保持的该晶片的该背面进行磨削而使该晶片的厚度薄化成比原本的厚度的一半薄,从而该晶片的直径缩小,该保护带形成从该晶片探出的探出部;以及收缩步骤,在实施了该磨削步骤之后,对该保护带的该探出部进行加热而使该探出部收缩。2.一种磨削装置,其对晶片进行磨削,该晶片在外周形成有倒角部并且...

【专利技术属性】
技术研发人员:松冈祐哉
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

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