封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及其制作方法，所述封装结构包括线路板以及发热元件。线路板包括多层线路层以及复合材料层。复合材料层的导热率介于450W/mK至700W/mK之间。发热元件配置于线路板上，且电性连接至线路层。发热元件所产生的热通过复合材料层而传递至外界。本发明专利技术的封装结构是通过导热率大于铜(400W/mK)的复合材料层，来将发热元件所产生的热以水平方向传导至外界，因此除了可更快速地将热导出之外，还可具有较佳的散热效率。还可具有较佳的散热效率。还可具有较佳的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制作方法，尤其涉及一种封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在逐层互连(Every Layer Interconnection Count,ELIC)电路板结构中，线路层较难具备散热或导热效果。为了解决上述的问题，目前可通过1.)电镀铜方式来形成导热垫(Thermal pad)/条(bar)/通孔(x-via)；2.)内埋铜块；3.)采用金属核心(Metal core)等方式将热源由垂直方向(即Z方向)导出。其中，以电镀铜形成导热垫/条/通孔，其导热路径尺寸受限于电镀能力。再者，内埋铜块是通过铜块将热导至垂直方向，不适用于介层厚度太薄的结构。此外，使用金属作为核心层材料，虽然也可为水平热传，但也是需要通过盲孔将热源导至下层金属核心，属非直接接触式导热。也就是说，对于多层板结构而言，垂直方向热传路径会被其他层别阻隔，无法大面积与外部接触，其热源将被局限在板中心，导致散热效果有限。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种封装结构，其具有较佳的导热效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：线路板，包括多层线路层以及复合材料层，其中所述复合材料层的导热率介于450W/mK至700W/mK之间；以及发热元件，配置于所述线路板上，且电性连接至所述多层线路层，其中所述发热元件所产生的热通过所述复合材料层而传递至外界。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述复合材料层包括第一材料以及第二材料，且所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一材料为石墨烯，而所述第二材料为铜。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多层线路层包括内层线路层、至少一第一增层线路层以及至少一第二增层线路层，所述线路板包括：核心基材，包括核心层、所述复合材料层以及所述内层线路层，所述复合材料层以及所述内层线路层分别位于所述核心层的相对两侧；第一增层结构，配置于所述核心基材的一侧，且包括至少一第一介电层、所述至少一第一增层线路层以及开口，其中所述第一介电层位于所述至少一第一增层线路层与所述复合材料层之间，而所述开口从所述至少一第一增层线路层延伸至所述复合材料层，且暴露出部分所述复合材料层，而所述发热元件配置于所述开口内；以及第二增层结构，配置于所述核心基材的另一侧，且包括至少一第二介电层及所述至少一第二增层线路层，其中所述第二介电层位于所述至少一第二增层线路层与所述内层线路层之间。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：绝缘胶层，配置于所述开口与所述发热元件之间，其中所述发热元件具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面，且包括位于所述主动面的第一电极及第二电极，所述绝缘胶层覆盖所述发热元件的所述背面与所述周围表面，且所述发热元件通过所述绝缘胶层接触所述复合材料层；以及电性连接层，连接所述至少一第一增层线路层与所述发热元件的所述第一电极以及连接所述至少一第一增层线路层与所述发热元件的所述第二电极，其中所述电性连接层暴露出所述发热元件的部分所述主动面及所述第一增层结构的部分所述第一介电层。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括：导电通孔，贯穿所述第一增层结构的所述至少一第一介电层、所述核心基材的所述核心层以及所述第二增层结构的所述至少一第二介电层，且电性连接所述至少一第一增层线路层及所述至少一第二增层线路层。7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述发热元件具有彼此相对的主动面与背面且包括位于所述主动面的第一电极与第二电极，所述复合材料层包括彼此分离的第一复合材料部与第二复合材料部，且所述第一电极与所述第一复合材料部结构性且电性连接，而所述第二电极与所述第二复合材料部结构性且电性连接。8.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：第三增层结构，配置于所述第一增层结构上，且电性连接至所述至少一第一增层线路层；以及
第四增层结构，配置于所述第二增层结构上，且电性连接至所述至少一第二增层线路层。9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多层线路层包括第一线路层、第二线路层以及第三线路层，所述线路板具有贯孔且还包括：核心基材，包括核心介电层以及位于所述核心介电层相对两侧的所述第一线路层与所述第二线路层；第一增层结构，配置于所述核心基材的所述第一线路层上，所述第一增层结构包括第一介电层与所述复合材料层，其中所述第一介电层位于所述复合材料层与所述第一线路层之间；第二增层结构，配置于所述核心基材的所述第二线路层上，所述第二增层结构包括第二介电层与所述第三线路层，其中所述第二介电层位于所述第二线路层与所述第三线路层之间，所述贯孔贯穿所述第一增层结构、所述核心基材以及所述第二增层结构；以及导电连接层，配置于所述贯孔的内壁且电性连接至所述复合材料层、所述第一线路层、所述第二线路层以及所述第三线路层。10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括：防焊层，配置于所述线路板上，且位于所述发热元件与所述复合材料层之间，其中所述防焊层填满所述贯孔，且覆盖所述导电连接层、所述复合材料层与所述第三线路层，并暴露出部分所述复合材料层与部分所述第三线路层。11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述发热元件配置于所述防焊层所暴露出的所述复合材料层上，所述发热元件具有彼此相对的主动面与背面且包括位于所述主动面的第一电极与第二电极，所述复合材料层包括彼此分离的第一复合材料部与第二复合材料部，且所述第一电极与所述第一复合材料部结构性且电性连接，而所述第二电极与所述第二复合材料部结构性连接。12.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供线路板，所述线路板包括多层线路层以及复合材料层，其中所述复合材料层的导热率介于450W/mK至700W/mK之间；以及配置于发热元件于所述线路板上，所述发热元件电性连接至所述多层线路层，其中所述发热元件所产生的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佰伟，陈庆盛，谭瑞敏，吴明豪，陈宣玮，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：