【技术实现步骤摘要】
一种三维堆叠大功率TR气密封装组件
[0001]本专利技术涉及微波毫米波通讯、相控阵雷达领域,特别涉及一种三维堆叠大功率TR气密封装组件。
技术介绍
[0002]近年来微波毫米波通讯发展日新月异，特别是在相控阵雷达领域，在雷达发射频率不断增高，TR组件通道间距越来越窄、发射功率又不断增大、性能不断提高的大趋势下。相控阵雷达的核心——大功率TR组件的集成方式也必须紧跟时代步伐，采用新技术、新方法、不断迭代更新，才能满足雷达对大功率TR组件的高功率、高散热、高集成度、气密等高性能要求。
[0003]现在主流大功率TR封装多采用单层封装结构，即氮化铝陶瓷封装底板焊接可伐围框为封装载体，将大功率TR芯片装入封装载体后再将金属盖板采用平行封焊或激光封焊的方式封盖。此类大功率TR封装一般集成度不高，封装面积较大，在TR通道间距越来越窄的情况下，无法将电源调制器芯片和储能电容就近放置在大功率TR芯片附近，通常将电源调制器芯片和储能电容集中放置在一个电源子板上，再通过较长的供电走线连接到大功率TR芯片上，在脉冲大电流工况下，细而长的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维堆叠大功率TR气密封装组件，其特征在于，包括依次从下至上堆叠的射频TR芯片层（1）、电源及开关驱动层（2）、储能电容层（3）以及盖板（4），形成气密封装结构；射频TR芯片层（1）、电源及开关驱动层（2）、储能电容层（3）均设有贯通各层的实心过孔，实现各层上下两侧的电气连接；射频TR芯片层（1）上侧、电源及开关驱动层（2）上下两侧、储能电容层（3）下侧均设有垂直互连结构，实现各层之间的电气互连；射频TR芯片层（1）下侧设有射频输入链路、射频输出链路以及电源和控制信号输入链路；上侧至少设有一个射频TR放大链路，用于射频信号的放大；电源及开关驱动层（2）上侧设有电源调制电路与射频开关驱动链路，分别用于为射频TR放大链路供电、控制射频TR放大链路实现对射频TR放大链路的收发控制；储能电容层（3）中并联有若干储能电容（3071），实现电源储能。2.根据权利要求1所述的三维堆叠大功率TR气密封装组件，其特征在于，射频TR芯片层（1）包括第一基板（101）、第一基板上走线层（102）、第一基板下走线层（103）、第一围框层（104）；第一基板上走线层（102）与第一基板下走线层（103）分别固定在第一基板（101）的上下两侧；第一基板（101）中开设有第一实心过孔（1011），配合第一基板上走线层（102）、第一基板下走线层（103）实现第一基板（101）上下两侧的电气互连；第一围框层（104）固定在第一基板（101）上侧且包围第一基板上走线层（102）；射频TR放大链路设置在第一基板（101）上侧的围框之内，并与第一基板上走线层（102）电气互连；第一基板上走线层（102）设有垂直互连结构；第一基板下走线层（103）上设置有射频信号输入焊盘（1031）、射频信号输出焊盘（1032）以及电源和控制信号输入焊盘（1033）。3.根据权利要求2所述的三维堆叠大功率TR气密封装组件，其特征在于，电源及开关驱动层（2）包括第二基板（201）、第二基板上走线层（202）、第二基板下走线层（203）、第二围框层（204）、第三围框层（205）、电源调制器芯片（2071）以及射频开关驱动芯片（2072）；第二基板上走线层（202）与第二基板下走线层（203）分别固定在第二基板的上下两侧，且都设有垂直互连结构；第二基板（201）开设有第二实心过孔（2011），配合第二基板上走线层（202）、第二基板下走线层（203）实现第二基板（201）上下两侧的电气互连；第二围框层（204）包围第二基板上走线层（202）且固定在第二基板（201）上侧，第三围框层（205）包围第二基板下走线层（203）且固定在第二基板（201）下侧；电源调制器芯片（2071）、射频开关驱动芯片（2072）设置在第二基板（201）上侧与第二基板上走线层（202）互联。4.根据权利要求3所述的三维堆叠大功率TR气密封装组件，其特征在于，储能电容层（3）包括第三基板（301）、第三基板上走线层（302）、第三基板下走线层（303）、第四围框层（304）、第五围框层（305）以及电容器件层（307），第三基板上走线层（302）与第三基板下走线层（303）分别固定在第三基板（301）的上下两侧；第三基板（301）上开设有第三实心过孔（3011），配合第三基板上走线层（302）、第三基板下走线层（303）实现第三基板（301）上下两侧的电气互连；第四围框层（304）固定在第三基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：阴明勇，廖洁，张奎基，冯琳，薛伟，唐耀宗，徐明昊，
申请(专利权)人：成都雷电微力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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