具有隔离层的引线框架封装制造技术

公开了一种集成电路封装，其包括引线框架和包封所述引线框架的至少一部分的模制化合物。所述模制化合物包括在所述模制化合物的底表面处开口的腔体，所述腔体暴露所述引线框架的底表面。导热且电绝缘的隔离层被锁定在所述模制化合物的所述底部腔体内并接触所述引线框架的底表面。框架的底表面。框架的底表面。

【技术实现步骤摘要】
具有隔离层的引线框架封装


[0001]本申请涉及一种包括引线框架的封装，该引线框架至少部分地被模制化合物包封。更具体地，本公开涉及锁定在模制化合物的腔体内的导热且电绝缘的隔离层。

技术介绍

[0002]如果需要使用单个隔离层来隔离封装模制化合物的表面处的引线框架管芯焊盘，则用于模制封装的常规外部隔离层可能具有粘附问题。发生这种情况是因为很难将隔离层粘附到模制化合物的处于暴露的管芯焊盘之间或周围的表面。由于隔离层和模制化合物具有不同的材料特性，因此会出现粘附问题。
[0003]由于这些和其他原因，需要本专利技术。

技术实现思路

[0004]根据集成电路封装的实施例，该封装包括引线框架和包封引线框架的至少一部分的模制化合物。模制化合物包括在模制化合物的底表面处开口的腔体，该腔体暴露引线框架的底表面。导热且电绝缘的隔离层被锁定在模制化合物的底部腔体内并接触引线框架的底表面。
[0005]根据引线框架模块的实施例，引线框架模块包括具有第一管芯焊盘和第二管芯焊盘的引线框架。第一功率半导体管芯附接到第一管芯焊盘的顶表面并且第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装，包括：引线框架；包封所述引线框架的至少一部分的模制化合物，所述模制化合物包括在所述模制化合物的底表面处开口的腔体，所述腔体暴露所述引线框架的底表面；以及导热且电绝缘的隔离层，其被锁定在所述腔体内并接触所述引线框架的所述底表面。2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述腔体包括在所述模制化合物的所述底表面上方间隔开一定距离的蚀刻的底切部，并且其中，所述隔离层填充所述腔体和所述底切部，并且其中，所述底切部的填充将所述隔离层锁定在所述腔体内。3.根据权利要求2所述的集成电路封装，其中，在与所述模制化合物的所述底表面的平面平行的方向上，所述腔体在所述模制化合物的所述底表面处的开口所具有的宽度小于所述腔体在所述模制化合物的所述底表面上方的所述底切部的所述距离处的宽度。4.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述隔离层是聚合物隔离层。5.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述模制化合物是环氧树脂模制化合物。6.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述引线框架包括铜(Cu)。7.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，半导体管芯附接到所述引线框架的顶表面，并且其中，所述半导体管芯包括选自由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、氮化镓(GaN)器件和碳化硅(SiC)器件组成的组中的器件。8.根据权利要求2所述的集成电路封装，还包括：附接到所述引线框架的顶表面的半导体管芯；在所述模制化合物的顶表面处开口的顶部腔体，所述顶部腔体包括在与所述模制化合物的所述顶表面相距一定深度处的蚀刻的顶部底切部，其中，所述顶部腔体在所述半导体管芯之上；以及导热且电绝缘的顶部隔离层，其填充所述顶部腔体和所述顶部底切部以将所述隔离层锁定到所述模制化合物，其中，所述顶部隔离层与所述半导体管芯的顶表面导热接触。9.根据权利要求8所述的集成电路封装，还包括：在所述半导体管芯之上的导热间隔体，所述导热间隔体与所述半导体管芯的顶表面导热接触，所述顶部腔体暴露所述间隔体的顶表面，其中，所述顶部隔离层接触所述间隔体的所述顶表面。10.一种引线框架模块，包括：引线框架，其具有第一管芯焊盘和第二管芯焊盘、附接到所述第一管芯焊盘的顶表面的第一功率半导体管芯、以及附接到所述第二管芯焊盘的顶表面的第二功率半导体管芯；包封所述第一功率半导体管芯、所述第二功率半导体管芯和至少一部分所述引线框架的模制化合物，所述模制化合物包括在所述模制化合物的底表面处开口的第一腔体，所述第一腔体暴露所述第一管芯焊盘的底表面，所述第一腔体包括在所述模化合物的所述底表面上方间隔开第一距离的蚀刻的第一底切部，其中，导热且电绝缘的第一隔离层填充所述第一腔体和所述第一底切部，并且其中，所述第一底切部的填充将所述第一隔离层锁定在所述第一腔体内，
所述模制化合物包括在所述模制化合物的所述底表面处开口的第二腔体，所述第二腔体暴露所述第二管芯焊盘的底表面，所述第二腔体包括在所述模制化合物的所述底表面上方间隔开第二距离的蚀刻的第二底切部，其中，导热且电绝缘的第二隔离层填充所述第二腔体和所述第二底切部，并且其中，所述第二底切部的填充将所述第二隔离层锁定在所述第二腔体内。11.根据权利要求10所述的引线框架模块，其中，所述第一底切部的所述第一距离大致等于所述第一管芯焊盘的所述底表面与所述模制化合物的所述底表面之间的距离，并且其中，所述第二底切部的所述第二距离大致等于所述第二管芯焊盘的所述底表面与所述模制化合物的所述底表面之间的距离。12.根据权利要求10所述的引线框架模块，其中，所述第一隔离层的下表面与所述模制化合物的所述底表面大致共面，并且其中，所述第二隔离层的下表面与所述模制化合物的所述底表面大致共面。13.根据权利要求10所述的引线框架模块，其中，所述第一隔离层的下表面和所述第二隔离层的下表面中的一个与所述模制化合物的所述底表面大致共面，并且其中，所述第一隔离层的下表面和所述第二隔离层的下表面中的另一个在所述模制化合物的所述底表面下方。14.一种形成集成电路封装的方法，包括：提供包括管芯焊盘和附接到所述管芯焊盘的顶表面的半导体管芯的引线框架、包封所述半导体管芯和所述管芯焊盘的模制化合物，其中，所述管芯焊盘包括在所述模制化合物的底表面处暴露的底表面，其中，所述管芯焊盘的至少一个侧表面包括在横向方向上远离所述至少一个侧表面延伸的突出部分，并且其中，所述突出部分在所述管芯焊盘的所述顶表面下方并且在所述模制化合物的所述底表面上方；通过将所述管芯焊盘的所述底表面蚀刻到所述模制化合物的所述底表面上方一定距离来在所述模制化合物的所述底表面内形成腔体，将所述管芯焊盘的所述底表面蚀刻到所述模制化合物的所述底表面上方一定距离包括蚀刻所述突出部分的至少一部分；以及用导热且电绝缘的隔离层填充所述腔体。15.根据权利要求14所述的方法，其中，蚀刻所述管芯焊盘的所述底表面包括使用选自由氯化铜、氯化铁、HF、NaOH、H...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：