一种用于校准外延炉的温度计的方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于校准外延炉的温度计的方法，所述方法包括：向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第一测试硅片进行气相刻蚀；监测所述外延炉内的温度以作为基准温度并监测所述第一测试硅片的刻蚀量以作为基准刻蚀量；拟合所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的线性关系；利用所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的所述线性关系校准所述外延炉的温度计。炉的温度计。炉的温度计。

【技术实现步骤摘要】
一种用于校准外延炉的温度计的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及用于一种用于校准外延炉的温度计的方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域，硅片一般是集成电路的原料。相比经抛光处理的硅片，经外延处理的外延硅片具有表面缺陷少和电阻率可控等特性，因此被广泛用于高集成化的IC元件和MOS制程。
[0003]目前，外延硅片采用最为广泛的方式为常压外延沉积，其沉积温度通常在1100℃与1150℃之间，温度作为硅外延片极为关键的参数，其变化对产品质量有显著影响，如滑移、厚度波动等，因此，合理的温度控制对外延片的性能具有极为重要的意义。
[0004]有鉴于此，如何对外延工艺过程中的温度进行准确监测是现有技术亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例期望提供一种用于校准外延炉的温度计的方法。
[0006]本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种用于校准外延炉的温度计的方法，所述方法包括：向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第一测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于校准外延炉的温度计的方法，其特征在于，所述方法包括：向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第一测试硅片进行气相刻蚀；监测所述外延炉内的温度以作为基准温度并监测所述第一测试硅片的刻蚀量以作为基准刻蚀量；拟合所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的线性关系；利用所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的所述线性关系校准所述外延炉的温度计。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述基准温度与所述基准刻蚀量之间的所述线性关系校准所述外延炉的温度计包括：向所述外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第二测试硅片进行气相刻蚀；监测所述外延炉内的实际温度并监测所述第二测试硅片的实际刻蚀量；在使所述实际刻蚀量与所述基准刻蚀量相等的条件下比较所述实际温度与所述基准温度；通过调整所述校准外延炉的所述温度计的参数使所述实际温度与所述基准温度相等。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过调整所述校准外延炉的所述温度计的参数使所述实际...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛景豪，曹岩，席勇，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：