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本发明实施例公开了一种用于校准外延炉的温度计的方法，所述方法包括：向外延炉内通入HCl气体以对所述外延炉内的第一测试硅片进行气相刻蚀；监测所述外延炉内的温度以作为基准温度并监测所述第一测试硅片的刻蚀量以作为基准刻蚀量；拟合所述基准温度与所述...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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