加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器及设计方法技术

本发明专利技术涉及滤波功分器设计技术领域，具体而言，加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器及设计方法，包括介质基板、上表面金属层、下表面金属层以及连接上下表面金属层的金属化通孔阵列；介质基板上表面金属层设置有第一自谐振结构、一对对称设置的第二自谐振结构、输入输出微带线，第一自谐振结构及第二自谐振结构通过设置在二者之间的第一耦合槽线耦合，第一自谐振结构由一对交叉耦合的第一开口环构成，对称设置的第二自谐振结构均由一个第二开口环构成，且二者之间设置有隔离电阻。本发明专利技术提出的SIW滤波功分器，在保持选择性和隔离度的优势下，拥有低插损、宽通带且高集成度的特性，可同时兼顾小型化和带宽扩展。可同时兼顾小型化和带宽扩展。可同时兼顾小型化和带宽扩展。

【技术实现步骤摘要】
加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器及设计方法


[0001]本专利技术涉及滤波功分器设计
，具体而言，加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器及设计方法。

技术介绍

[0002]基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)技术作为一种新型导波结构，它既保持了传统金属波导的高Q值、低损耗、高功率容量等优点，又易于与微带线、共面波导等各种平面结构相集成。随着印刷电路板等电路加工工艺的发展，SIW剖面低、尺寸小、易加工等传统矩形金属波导不具备的优势更加凸显。因此，SIW已广泛地运用于微波毫米波电路系统及微波元器件的设计。
[0003]随着现代无线通信的快速发展，微波系统中对低成本、高集成度器件的需求也日益增长。因此，小型化多功能微波器件已成为研究的热点。例如，公开号为CN113644394A的中国专利技术公开了以下技术方案：一种基片集成波导双通带功分滤波器，包括介质基板、接线板和接地板，接线板、介质基板和接地板形成的多层结构设有第一通孔和多个第二通孔，多个第二通孔围绕第一通孔设置以形成谐振腔；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器，其特征在于，包括介质基板、上表面金属层(1)、下表面金属层以及连接上下表面金属层的金属化通孔阵列(2)；介质基板上表面金属层(1)设置有第一自谐振结构、一对对称设置的第二自谐振结构、输入微带线(8)、第一输出微带线(9)和第二输出微带线(10)，所述第一自谐振结构及第二自谐振结构通过设置在二者之间的第一耦合槽线(5)耦合，所述输入微带线(8)与第一自谐振结构连接，对称设置的第二自谐振结构分别与第一输出微带线(9)和第二输出微带线(10)连接，所述第一自谐振结构由一对交叉耦合的第一开口环构成，对称设置的第二自谐振结构均由一个第二开口环构成，且二者之间设置有隔离电阻。2.如权利要求1所述的加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器，其特征在于，所述一对交叉耦合的第一开口环关于输入微带线(8)对称，且二者通过关于输入微带线(8)垂直设置的第二耦合槽线(11)交叉耦合，且一对交叉耦合的第一开口环关于第二耦合槽线(11)的中心点中心对称，用于产生双模谐振通带。3.如权利要求1所述的加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器，其特征在于，所述隔离电阻包括隔离电阻R1(6)以及隔离电阻R2(7)。4.如权利要求3所述的加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器，其特征在于，所述隔离电阻R1(6)阻值为500Ω，隔离电阻R2(7)阻值为4700Ω。5.如权利要求1所述的加载互补阶梯折叠开口环的SIW滤波功分器，其特征在于，所述第一开口环的开口向...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永茂，王未来，周婷，
申请(专利权)人：西华大学，
类型：发明
国别省市：