【技术实现步骤摘要】
一种高集成度波导混频微系统
[0001]本专利技术涉及毫米波相控阵雷达领域,具体公开了一种高集成度波导混频微系统。
技术介绍
[0002]近年来,毫米波相控阵雷达和微波通信等领域发展迅猛,与之相关的设备也需要进一步提升集成度和性能。
[0003]传统波导混频系统使用尺寸较大的微带探针和过渡微带,器件之间通过金丝键合连接,在集成度和装配难度方面不能满足现在的工程要求,因此,解决波导混频系统的集成度较低的问题变得愈加重要。
[0004]本专利技术为解决传统波导混频系统提出了一种高集成度波导混频微系统,提高了集成度,降低了装配难度。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于,针对传统混频系统中使用较大微带探针和过渡微带,器件之间通过金丝键合连接,在集成度和装配难度方面不能满足现在的工程要求的问题,提出了一种高集成度波导混频微系统,提高了集成度,降低了装配难度。
[0006]本专利技术采用的技术方案如下:一种高集成度波导混频微系统,其包括:混频芯片、波导结构A、波导结构B和芯片安装结构; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高集成度波导混频微系统,其特征在于,包括:混频芯片、波导结构A、波导结构B和芯片安装结构;所述混频芯片由芯片探针A、芯片探针B、混频管、中频微带线、匹配结构A、匹配结构B、芯片介质基板组成;所述波导结构A用于将输入射频信号通过芯片探针A耦合到混频管处;所述波导结构B用于将输入本振信号通过芯片探针B耦合到混频管处;射频信号和本振信号在混频管处通过混频生成的中频信号通过中频微带线输出;波导结构A、波导结构B安装在芯片安装结构上;所述芯片探针A、芯片探针B、混频管、中频微带线、匹配结构A、匹配结构B均设置在所述芯片介质基板上表面。2.根据权利要求1所述的一种高集成度波导混频微系统,其特征在于,所述芯片介质基板下表面镀金;当所述芯片探针A到芯片介质基板下表面镀金接地短路面的距离为射频信号介质波长的四分之一时,芯片探针A处于射频信号电场最强处;当所述芯片探针B到芯片介质基板下表面镀金接地短路面的距离为本振信号介质波长的四分之一时,芯片探针B处于本振信号电场最强处。3.根据权利要求1所述的一种高集成度波导混频微系统,其特征在于,所述芯片探针A、芯片探针B集成在芯片介质基板上。4.根据权利要求1所述的一种高集成度波导混频微系...
【专利技术属性】
技术研发人员:李雪慧,丁卓富,范哲,黎入玮,韩雪松,
申请(专利权)人:成都雷电微力科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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