一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法技术

本发明专利技术公开一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法，蚀刻液包括：无机酸、铜盐和缓蚀剂。无机酸用于提供酸性环境的氢离子，酸性环境有利于激发铜盐中铜离子的氧化性，使其与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。铜盐溶解后，铜离子在酸性环境中具有强氧化性，可与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。通过在蚀刻液中添加缓蚀剂，缓蚀剂能够溶解在蚀刻液中，且与钛铜合金具有较好的亲和力，缓蚀剂在蚀刻过程中可以附着在钛铜合金的侧壁，减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀，提高蚀刻精度。提高蚀刻精度。提高蚀刻精度。

【技术实现步骤摘要】
一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及电路蚀刻
，尤其涉及一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法。

技术介绍

[0002]微型致动结构应用于手机摄像头、汽车摄像头、电子成像显微镜、柔性精密器件等高精密的成像设备中，用于实现对镜头中的镜头在垂直于光轴的XY平面或是Z轴(即光轴)的小尺寸(微米到毫米级)的位置移动/还原，以实现防抖动和变焦。
[0003]微型致动结构通常包括驱动装置和挠曲装置，驱动装置用于提供驱动镜头移动的驱动力，挠曲装置用于提供镜头移动的载体，驱动装置通过驱动挠曲装置移动从而带动镜头移动。挠曲装置同时还用于传输传感信号，以便处理器能够获知镜头的位置，并进行精确地补偿。因此，挠曲装置是一种包括具有一定强度、弹性模量低、回复性好的支撑层的柔性线路板。钛铜合金具有强度高、弹性模量低、回复性好等优点，因此可满足挠曲装置的支撑层的要求(既可实现小尺寸位移、亦可回复原样)，但同时其耐化学腐蚀性又导致其加工困难。采用现有的蚀刻液对钛铜合金进行蚀刻时，通常会出现侧蚀较大，蚀刻因子较小，蚀刻精度较低的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法，能够减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀，提高蚀刻精度。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种钛铜合金蚀刻液，包括：
[0006]无机酸，用于提供酸性环境的氢离子，所述氢离子在蚀刻液中的摩尔浓度为1mol/L
‑
5mol/L；
[0007]铜盐，用于提供与钛铜合金发生氧化反应铜离子，所述铜盐的在蚀刻液中质量浓度为50g/L
‑
500g/L；
[0008]缓蚀剂，用于在蚀刻时附着在钛铜合金的侧壁，减少侧蚀，所述缓蚀剂在蚀刻液中的质量浓度为0.01g/L
‑
0.1g/L。
[0009]可选的，所述缓蚀剂为苯并三氮唑。
[0010]可选的，所述苯并三氮唑在蚀刻液中的质量浓度为0.03g/L
‑
0.06g/L。
[0011]可选的，所述无机酸为盐酸。
[0012]可选的，所述铜盐为氯化铜。
[0013]可选的，钛铜合金蚀刻液还包括氯酸钠，用于提高蚀刻速度，所述氯酸钠在蚀刻液中质量浓度为5g/L
‑
50g/L。
[0014]第二方面，本专利技术实施例提供了一种钛铜合金蚀刻方法，其特征在于，采用如权利要求1
‑
6任一所述的蚀刻液进行蚀刻，包括：
[0015]提供带载体的钛铜合金箔；
[0016]在所述钛铜合金箔上形成掩膜，以遮挡不需要蚀刻的部分；
[0017]采用喷头以与所述钛铜合金箔呈预设的倾斜角度向所述钛铜合金箔喷洒所述蚀刻液，并进行至少两次蚀刻；
[0018]去除所述掩膜，并对所述蚀刻后的所述钛铜合金箔进行清洗和干燥。
[0019]可选的，所述倾斜角度为60
°‑
80
°
。
[0020]可选的，每次蚀刻的时长为2min
‑
3min。
[0021]可选的，当所述喷头位于所述钛铜合金箔下方时，所述喷头的喷压为0.12MPa，当所述喷头位于所述钛铜合金箔上方时，所述喷头的喷压为0.10MPa。
[0022]本专利技术实施例提供的钛铜合金蚀刻液，包括：无机酸、铜盐和缓蚀剂。无机酸用于提供酸性环境的氢离子，酸性环境有利于激发铜盐中铜离子的氧化性，使其与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。铜盐溶解后，铜离子在酸性环境中具有强氧化性，可与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。通过在蚀刻液中添加缓蚀剂，缓蚀剂能够溶解在蚀刻液中，且与钛铜合金具有较好的亲和力，缓蚀剂在蚀刻过程中可以附着在钛铜合金的侧壁，减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀，提高蚀刻精度。
附图说明
[0023]下面根据附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的一种钛铜合金蚀刻方法的流程图；
[0025]图2为本专利技术实施例提供的一种蚀刻过程的示意图。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0029]本专利技术实施例提供了一种钛铜合金蚀刻液，包括：无机酸、铜盐和缓蚀剂。
[0030]无机酸用于提供酸性环境的氢离子，酸性环境有利于激发铜盐中铜离子的氧化性，使其与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。示例性的，在本专利技术的实施例中，氢
离子在蚀刻液中的摩尔浓度为1mol/L
‑
5mol/L。
[0031]铜盐溶解后，铜离子在酸性环境中具有强氧化性，可与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。示例性的，在本专利技术实施例中，无机盐的在蚀刻液中质量浓度为50g/L
‑
500g/L。
[0032]蚀刻开始时，金属板表面部分掩膜所保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度方向进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻液除向垂直方向还向两侧进行蚀刻，即形成侧蚀。侧蚀能使凸面的图形(泛指阳图)线条或网点变细变小，反之使凹图的线条或网点变粗变大，使图形变形或尺寸超差，严重时使产品报废，是蚀刻中的大敌。在本专利技术实施例中，通过在蚀刻液中添加缓蚀剂，缓蚀剂能够溶解在蚀刻液中，且与钛铜合金具有较好的亲和力，缓蚀剂在蚀刻过程中可以附着在钛铜合金的侧壁，减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀。示例性的，在本专利技术实施例，缓蚀剂在蚀刻液中的质量浓度为0.01g/L
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钛铜合金蚀刻液，其特征在于，包括：无机酸，用于提供酸性环境的氢离子，所述氢离子在蚀刻液中的摩尔浓度为1mol/L
‑
5mol/L；铜盐，用于提供与钛铜合金发生氧化反应铜离子，所述铜盐的在蚀刻液中质量浓度为50g/L
‑
500g/L；缓蚀剂，用于在蚀刻时附着在钛铜合金的侧壁，减少侧蚀，所述缓蚀剂在蚀刻液中的质量浓度为0.01g/L
‑
0.1g/L。2.根据权利要求1所述的钛铜合金蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂为苯并三氮唑。3.根据权利要求2所述的钛铜合金蚀刻液，其特征在于，所述苯并三氮唑在蚀刻液中的质量浓度为0.03g/L
‑
0.06g/L。4.根据权利要求1所述的钛铜合金蚀刻液，其特征在于，所述无机酸为盐酸。5.根据权利要求1所述的钛铜合金蚀刻液，其特征在于，所述铜盐为氯化铜。6.根据权利要求4所述的钛铜合金蚀刻液，其特征在于，还包括氯酸钠，用于提高蚀刻速度，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯然，潘丽，曹广盛，
申请(专利权)人：安捷利番禺电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：