半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：第一衬底，其包括第一导电结构；第二衬底，其包括第二导电结构，其中所述第一衬底在所述第二衬底之上；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间；竖直互连件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；以及囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件。所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。本文中亦公开其它实例及相关方法。它实例及相关方法。它实例及相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造半导体装置的方法


[0001]一般来说，本公开涉及电子装置，且更特定来说，涉及半导体装置及用于制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]现有的半导体封装及用于形成半导体封装的方法不适当，例如，引起成本过量、可靠度降低或封装大小过大。通过将此类方法与本公开进行比较且参考图式，常规及传统方法的其它局限性及缺点对于所属领域的技术人员将变得显而易见。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一范例为一种电子装置，其包括：第一衬底，其包括第一导电结构；第二衬底，其包括第二导电结构，其中所述第一衬底在所述第二衬底之上；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间；竖直互连件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；以及囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件；其中所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。
[0004]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，在邻近于所述第二衬底的末端的所述第一电子组件的横向侧处的横向端口从所述囊封剂中暴露。
[0005]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第一衬底包括重布层(RDL)衬底；并且所述第二衬底包括预成型衬底。
[0006]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第一衬底包括预成型衬底；并且所述第二衬底包括重布层(RDL)衬底。
[0007]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第一电子组件包括与所述第一导电结构耦合的组件端子。
[0008]根据本专利技术的一范例所述的电子装置进一步包括在所述第一电子组件与所述第一衬底之间的底部填充物，其中所述底部填充物接触所述组件端子。
[0009]根据本专利技术的一范例所述的电子装置进一步包括在所述第二衬底与所述第一电子组件之间的粘着剂。
[0010]根据本专利技术的一范例所述的电子装置进一步包括在所述第一衬底之上的第二电子组件，其中所述第二电子组件包括与所述第一导电结构耦合的组件端子。
[0011]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第一衬底包括重布层(RDL)衬底。
[0012]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第二衬底包括重布层(RDL)衬底。
[0013]在根据本专利技术的一范例所述的电子装置中，所述第一衬底包括在所述第一电子组件之上的第一衬底部分及在所述第一电子组件之上的第二衬底部分；所述孔口在所述第一衬底部分与所述第二衬底部分之间；并且所述竖直端口通过所述第一衬底部分与所述第二衬底部分之间的所述孔口暴露。
[0014]根据本专利技术的一范例所述的电子装置进一步包括：
[0015]覆盖物，其与所述第一衬底部分及所述第二衬底部分耦合；
[0016]其中所述覆盖物在所述竖直端口之上。
[0017]根据本专利技术的一范例所述的电子装置进一步包括：第二电子组件，其与所述第二衬底耦合；其中所述第二衬底在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间。
[0018]本专利技术的又一范例为一种电子装置，其包括：第一衬底，其包括第一导电结构，其中所述第一导电结构包括衬底外向端子；第二衬底，其包括第二导电结构；竖直互连件，其与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述第一电子组件具有在所述第一电子组件的前侧上且与所述第一导电结构耦合的第一组件端子；以及第二电子组件，其在所述第一衬底之上，其中所述第二电子组件具有与所述衬底外向端子耦合的第二组件端子；其中在邻近于所述第二衬底的末端的所述第一电子组件的横向侧处的横向端口暴露。
[0019]在根据本专利技术的又一范例所述的电子装置中，所述第一电子组件的所述前侧处的竖直端口由所述第一衬底的孔口暴露。
[0020]根据本专利技术的又一范例所述的电子装置进一步包括在所述第一电子组件与所述第二衬底之间的粘着剂。
[0021]根据本专利技术的又一范例所述的电子装置进一步包括：囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件；其中所述粘着剂接触所述第一电子组件的横向侧且在所述第一电子组件与所述囊封剂之间。
[0022]本专利技术的另一范例为一种制造电子装置的方法，其包括：提供包括第一导电结构的第一衬底；将第一电子组件与所述第一衬底耦合，其中所述第一电子组件的竖直端口由所述第一衬底的孔口暴露；提供包括第二导电结构的第二衬底；提供与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合的竖直互连件；以及提供在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件的囊封剂。
[0023]在根据本专利技术的另一范例所述的方法中，在所述竖直互连件与所述第一衬底及所述第二衬底耦合之后提供所述囊封剂。
[0024]在根据本专利技术的另一范例所述的方法中，述第一衬底耦合之后且在所述竖直互连件与所述第二衬底耦合之前提供所述囊封剂。
附图说明
[0025]图1A到图1C展示实例电子装置的截面视图。
[0026]图2A到图2H展示用于制造实例电子装置的实例方法的截面视图。
[0027]图3A到图3C展示用于制造实例电子装置的实例方法的截面视图。
[0028]图4A到图4G展示用于制造实例电子装置的实例方法的截面视图。
[0029]图5展示实例电子装置的截面视图。
[0030]图6A到图6G展示用于制造实例电子装置的实例方法的截面视图。
[0031]图7展示实例电子装置的截面视图。
[0032]以下论述提供半导体装置及制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例为非限制性的，并且所附权利要求书的范围不应限于所公开的特定实例。在以下论述中，术语“实
例”及“例如”为非限制性的。
[0033]诸图说明构造的一般方式，并且可省略熟知特征及技术的描述及细节以避免不必要地混淆本公开。另外，附图中的元件未不按比例绘制。举例来说，可相对于其它元件将诸图中的一些元件的尺寸放大以帮助改进对在本公开中所论述的实例的理解。不同诸图中的相同附图标号表示相同元件。
[0034]术语“或”意味着由“或”接合的列表中的项中的任一或多者。作为实例，“x或y”意味着三元件集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元件。作为另一实例，“x、y或z”意味着七元件集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元件。
[0035]术语“包括(comprises/comprising)”、“包含(includes/including)”为“开放”术语且指定所陈述特征的存在，但并不排除一或多个其它特征的存在或添加。术语“第一”、“第二”等可用于本文中以描述各种元件，但此些元件不应受此些术语限制。此些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，举例来说，本公开中所论述的第一元件可被称为第二元件而不脱离本公开的教示。
[0036]除非另外指定，否则术语“耦合”可用于描述彼此直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：第一衬底，其包括第一导电结构；第二衬底，其包括第二导电结构，其中所述第一衬底在所述第二衬底之上；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间；竖直互连件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；以及囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件；其中所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：在邻近于所述第二衬底的末端的所述第一电子组件的横向侧处的横向端口从所述囊封剂中暴露。3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：所述第一衬底包括重布层(RDL)衬底；并且所述第二衬底包括预成型衬底。4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：所述第一衬底包括预成型衬底；并且所述第二衬底包括重布层(RDL)衬底。5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子组件包括与所述第一导电结构耦合的组件端子。6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，进一步包括在所述第一电子组件与所述第一衬底之间的底部填充物，其中所述底部填充物接触所述组件端子。7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括在所述第二衬底与所述第一电子组件之间的粘着剂。8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括在所述第一衬底之上的第二电子组件，其中所述第二电子组件包括与所述第一导电结构耦合的组件端子。9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一衬底包括重布层(RDL)衬底。10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二衬底包括重布层(RDL)衬底。11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：所述第一衬底包括在所述第一电子组件之上的第一衬底部分及在所述第一电子组件之上的第二衬底部分；所述孔口在所述第一衬底部分与所述第二衬底部分之间；并且所述竖直端口通过所述第一衬底部分与所述第二衬底部分之间的所述孔口暴露。12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：覆盖物，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：周名佳，翰古文，林基泰，朴东久，易吉寒，金进勇，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：