半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

技术编号:41823277 阅读:27 留言:0更新日期:2024-06-24 20:37
在一个实例中,一种电子装置包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底包括在所述衬底的所述第二侧处的第一凹槽;第一电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;以及树脂,其在所述第一凹槽中。所述衬底包括在所述衬底的所述第一侧处的浮动衬垫、在所述衬底的所述第一侧处的第二凹槽,以及在所述衬底的所述第一侧处的第三凹槽,其中所述浮动衬垫在所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。本文中还公开了其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及电子装置,且更特定地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。


技术介绍

1、先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的,例如,导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式,所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。


技术实现思路

1、本专利技术的一态样为一种电子装置,其包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底包括在所述衬底的所述第二侧处的第一凹槽;第一电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;以及树脂,其在所述第一凹槽中;其中所述衬底包括在所述衬底的所述第一侧处的浮动衬垫、在所述衬底的所述第一侧处的第二凹槽,以及在所述衬底的所述第一侧处的第三凹槽,其中所述浮动衬垫在所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。在所述的电子装置中,所述衬底包含在所述衬底的所述第一侧处的上层以及在所述衬底的所述第二侧上的下层;且所述上层接触所述浮动衬垫的顶侧和所述浮动衬垫的在所述第二凹槽中的第一横向侧。在所述的电子装置中,所述浮动衬垫的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

3.根据权利要求2所述的电子装置,其中:

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

5.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

6.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

8.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

10.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

11.一种制造电子装置的方法,其包括:

12....

【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

3.根据权利要求2所述的电子装置,其中:

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

5.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

6.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

8.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

10.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

【专利技术属性】
技术研发人员:朴大洋金吉江江亨义孙权守
申请(专利权)人:安靠科技新加坡控股私人有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1