存储器件制造技术

本公开提供了一种存储器件，包括：字线叠层，其包括在衬底上方在竖直方向上交替地层叠的字线，并具有边缘部分；至少一个支撑件，其在字线层叠的方向上竖直地延伸并支撑字线叠层的边缘部分；接触插塞，其电连接到在字线叠层的边缘部分处的字线；以及有源层，其位于字线之间，并在与字线交叉的方向上水平地取向。并在与字线交叉的方向上水平地取向。并在与字线交叉的方向上水平地取向。

【技术实现步骤摘要】
存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月16日提交的申请号为10
‑
2020
‑
0134458的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术的各种实施例涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种存储器件。

技术介绍

[0004]近来，为了增加存储器件的净裸片(net die)，已不断地减小了存储单元的尺寸。
[0005]随着存储单元的尺寸变小，应减小寄生电容(Cb)并应增大电容。然而，由于存储单元的结构限制，难以增加净裸片。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施例针对一种高度集成的存储器件。
[0007]根据本专利技术的实施例，一种存储器件包括：字线叠层，其包括在衬底上方在竖直方向上交替地层叠的字线，并具有边缘部分；至少一个支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且支撑所述字线叠层的所述边缘部分；接触插塞，其在所述字线叠层的所述边缘部分处电连接到所述字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。
[0008]根据本专利技术的另一实施例，一种存储器件包括：字线叠层，其包括在垂直于衬底的方向上交替地层叠的字线，并且包括边缘部分和平行于所述边缘部分的附加边缘部分；至少一个小支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且分别支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；至少一个大支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且共同支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；接触插塞，其分别电连接到在所述边缘部分中的字线；附加接触插塞，其分别电连接到在所述附加边缘部分中的字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。
[0009]根据本专利技术的又一实施例，一种存储器件包括：多个存储单元，其相对于衬底竖直地层叠；以及至少一个支撑件，其在所述存储单元的层叠的方向上竖直地延伸，其中，每个所述存储单元包括：位线，其垂直于所述衬底取向；电容器，其与所述位线在水平方向上间隔开；有源层，其在所述位线与所述电容器之间水平地取向；以及字线，其位于所述有源层的上表面与下表面之中的至少一个表面之上并且在与所述有源层交叉的方向上水平地延伸，并且所述存储单元的字线的边缘部分由所述支撑件支撑。
[0010]本专利技术所属领域的普通技术人员可以更好地理解本专利技术的这些以及其他特征和优点。
附图说明
[0011]图1是示出根据本专利技术实施例的半导体器件的示意性立体图。
[0012]图2是沿图1所示的线A
‑
A
’
截取的布局图。
[0013]图3是沿图2所示的线B
‑
B
’
截取的截面图。
[0014]图4A和图4B示出了根据本专利技术实施例的存储器件。
[0015]图4C是示出字线边缘部分334E的详细平面图。
[0016]图5A至图5D是示出支撑件的应用示例的立体图。
[0017]图6是示出根据本专利技术的另一实施例的存储器件的图。
[0018]图7是沿图6所示的线A12
‑
A12
’
截取的截面图。
[0019]图8A至图9B是示出根据本专利技术的其他实施例的存储器件的图。
具体实施方式
[0020]下面将参考附图更详细地描述本专利技术的各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开可以彻底和完整，并将向本领域技术人员充分传达本专利技术的范围。贯穿本公开，在本专利技术的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部件。
[0021]附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，比例可能已被放大，以便清楚地示出实施例的特征。当第一层被提及在“第二层上”或“在衬底上”时，不仅指第一层直接形成在第二层或衬底上的情况，而且还指在第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情况。
[0022]在本专利技术的以下实施例中，可以通过在竖直方向上层叠存储单元来增大存储单元密度，同时减小寄生电容。
[0023]图1是示出根据本专利技术实施例的半导体器件的示意性立体图。图2是沿图1所示的线A
‑
A
’
截取的布局图。图3是沿图2所示的线B
‑
B
’
截取的截面图。
[0024]参考图1至图3，半导体器件100可以包括衬底LS以及形成在衬底LS上方的存储单元阵列MCA。存储单元阵列MCA可以在第一方向D1上垂直于衬底LS取向。衬底LS可以包括由第二方向D2和第三方向D3限定的平面。存储单元阵列MCA可以垂直于衬底LS的平面取向。存储单元阵列MCA可以在第一方向D1上从衬底LS起竖直向上地取向。存储单元阵列MCA可以包括存储单元MC的三维阵列。存储单元阵列MCA可以包括如图1所示的多个存储单元MC1、MC2、MC3和MC4，然而，这仅是示例。
[0025]例如，存储单元阵列MCA可以包括第一存储单元MC1、第二存储单元MC2、第三存储单元MC3和第四存储单元MC4。第一存储单元MC1和第三存储单元MC3可以在第一方向D1上竖直地取向而形成第一竖直列。第二存储单元MC2和第四存储单元MC4可以在第一方向D1上竖直地取向而形成第二竖直列。第三存储单元MC3和第四存储单元MC4可以在第三方向D3上水平地取向而形成第一水平行。第一存储单元MC1和第二存储单元MC2可以在第三方向D3上水平地取向而形成第二水平行。注意，在每一列和每一行中可以布置多于两个的存储单元。而且，在不脱离所要求保护的本专利技术的范围的情况下，可以使用多于两行和/或多于两列的存储单元。存储单元阵列MCA的存储单元MC1、MC2、MC3和MC4中的每一个可以包括位线BL、晶体管TR、电容器CAP和板线(plate line)PL。晶体管TR和电容器CAP可以在第二方向D2上水平地取向。存储单元MC1、MC2、MC3和MC4中的每一个可以进一步包括在第三方向D3上延伸的字
线WL。在存储单元MC1、MC2、MC3和MC4中的每一个中，位线BL、晶体管TR、电容器CAP和板线PL可以定位成沿着第二方向D2水平布置。存储单元阵列MCA可以包括动态随机存取存储器(DRAM)存储单元阵列，但是，本专利技术可以不限于此方式。例如，在所示实施例的变型和其他实施例中，存储单元阵列MCA可以包括相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RERAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等。同样，在所示实施例的变型和其他实施例中，电容器CAP可以由其他存储元件代替。
[0026]衬底LS可以由一种或更多种适合于半导体加工的材料形成。例如，用于衬底LS的合适的材料可以包括导电材料、电介质材料和半导体材料之中的至少一种。可以在衬底LS之上形成多种材料。衬底LS可以包括半导体衬底。衬底LS可以由含硅材料形成。衬底LS可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：字线叠层，其包括在衬底上方在竖直方向上交替地层叠的字线，并具有边缘部分；至少一个支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸并支撑所述字线叠层的所述边缘部分；接触插塞，其电连接到在所述字线叠层的所述边缘部分处的字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线叠层的所述边缘部分包括第一侧壁和平行于所述第一侧壁的第二侧壁，以及所述至少一个支撑件支撑所述第一侧壁和所述第二侧壁之中的至少一个侧壁。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个包括至少一个凹陷表面，所述凹陷表面在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，以及所述至少一个凹陷表面直接接触所述至少一个支撑件。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述至少一个支撑件包括电介质柱。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述至少一个支撑件包括氧化硅。6.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：位线，其与所述有源层的一侧共同耦接，其中，所述位线在所述字线层叠的方向上竖直地延伸。7.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：储存节点，其分别被耦接到所述有源层的另一侧，其中，所述储存节点在所述字线层叠的方向上竖直地层叠。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线叠层的所述边缘部分在所述字线层叠的方向上具有阶梯式结构。9.一种存储器件，包括：字线叠层，其包括在垂直于衬底的方向上交替地层叠的字线，并且包括边缘部分和平行于所述边缘部分的附加边缘部分；至少一个小支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸并分别支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；至少一个大支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸并共同支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；接触插塞，其分别电连接到在所述边缘部分中的字线；附加接触插塞，其分别电连接到在所述附加边缘部分中的字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述字线叠层的所述边缘部分包括第一侧壁和平行于所述第一侧壁的第二侧壁，以及所述至少一个小支撑件支撑所述第一侧壁，并且所述至少一个大支撑件支撑所述第二侧壁。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个包括在所述字线层叠的方向上竖直地延伸的至少一个第一凹陷表面和至少一个第二凹陷表面。
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述至少一个第一凹陷表面直接接触所述至少一个小支撑件，并且所述至少一个第二凹陷表面直接接触所述至少一个大支撑件。13.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述字线叠层的所述附加边缘部分包括面对所述第二侧壁的第三侧壁和平行于所述第三侧壁的第四侧壁，以及所述至少一个小支撑件支撑所述第四侧壁，并且所述至少一个大支撑件支撑所述第三侧壁。14.根据权利要求13所述的存储器件，其中，所述第三侧壁和所述第四侧壁中的每一个包括在所述字线层叠的方向上竖直地延伸的至少一个第三凹陷表面和至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金承焕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：