一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其构造了带有TSV通孔的桥接芯片结构，其从上而下分布的导电结构包括：金属柱Ⅰ(113)、金属层Ⅰ(112)、金属导电柱(109)、金属层Ⅱ(117)、金属柱Ⅱ(118)和栅极阵列焊球Ⅰ(119)，使得电信号能够同时实现第一再布线金属层(203)与第二再布线金属层(209)的电性连接，利用第二再布线金属层(209)、第一再布线金属层(203)以及带有TSV通孔的桥接芯片(122)代替传统的TSV方法实现了芯片间的垂直互联。本实用新型专利技术可以进一步减小了封装体的厚度，同时，提供了更多的芯片间电信号垂直传输的路径。供了更多的芯片间电信号垂直传输的路径。供了更多的芯片间电信号垂直传输的路径。

【技术实现步骤摘要】
一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构


[0001]本技术涉及一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构，属于半导体芯片封装


技术介绍

[0002]扇出型封装目前为晶圆级先进封装方法之一，由于需封装芯片的数量的不断增加，多芯片所占用的横向面积越来越大，因此，开始将多芯片进行纵向连接，以使得在相同的横向面积中封装更多的芯片，已有的纵向封装技术中，被封装芯片均为单面有源芯片，封装后封装体中的芯片与芯片之间以及芯片与外部器件之间的信号传输距离远，信号衰减和损耗较大。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本技术提供了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构,以缩短电信号传输时间，提高电信号的传输效率，提高封装体的电性能。
[0004]本技术的技术方案如下：
[0005]本技术提供了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构，其包括带有TSV通孔的桥接芯片、第一再布线金属层、第二再布线金属层、金属柱Ⅲ、塑封料Ⅰ，所述第一再布线金属层的上表面设置第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ和第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ，所述第一再布线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构，其特征在于，其包括带有TSV通孔的桥接芯片(122)、第一再布线金属层(203)、第二再布线金属层(209)、金属柱Ⅲ(205)和塑封料Ⅰ(207)，所述第一再布线金属层(203)的上表面设置第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ(204)和第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ(206)，所述第一再布线金属层的上焊盘Ⅰ(204)设置在所述第一再布线金属层的上焊盘Ⅱ(206)的四周，所述第一再布线金属层(203)的下表面设置第一再布线金属层的下焊盘(215)；所述第二再布线金属层(209)的下表面设置第二再布线金属层的下焊盘Ⅰ(231)和第二再布线金属层的下焊盘Ⅱ(232)，所述第二再布线金属层的下焊盘Ⅰ(231)设置在所述第二再布线金属层的下焊盘Ⅱ(232)的四周，所述第二再布线金属层(209)的上表面设置第二再布线金属层的上焊盘(210)；所述带有TSV通孔的桥接芯片(122)的高度与所述金属柱Ⅲ(205)的高度相同；所述带有TSV通孔的桥接芯片(122)包括芯片本体(102)、金属层Ⅰ(112)、若干个金属柱Ⅰ(113)、若干个金属导电柱(109)、若干个金属柱Ⅱ(118)和底填膜(121)，所述金属导电柱(109)上下贯穿芯片本体(102)并露出其顶端，其上表面通过金属层Ⅰ(112)设置金属柱Ⅰ(113)，所述金属导电柱(109)的顶端处的金属层Ⅰ(112)与芯片本体(102)之间的空间通过钝化层(110)填充，所述金属导电柱(109)的下表面设置金属层Ⅱ(117)，所述金属层Ⅱ(117)的下表面通过金属柱Ⅱ(118)设置栅极阵列焊球Ⅰ(119)；所述底填膜(121)填充并覆盖金属层Ⅱ(117)、金属柱Ⅱ(118)和栅极阵列焊球Ⅰ(119)；所述带有TSV通孔的桥接芯片(122)和若干个金属柱Ⅲ(205)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗怿，郭良奎，罗富铭，潘波，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：