封装结构及电子器件制造技术

本申请实施例提供一种封装结构及电子器件，该封装结构的第一导电层通过位于芯片本体外部的第一导电件与第一衬底导通，而且芯片本体上开设有槽孔，槽孔内设有第二导电件，第一导电层通过第二导电件与第一衬底导通。通过在第一导电层与衬底之间设置两条通道并联实现接地，降低了接地寄生参数，减小了功耗，从而在一定程度上提高了电子器件的输出效率。一定程度上提高了电子器件的输出效率。一定程度上提高了电子器件的输出效率。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及电子器件


[0001]本申请实施例涉及半导体
，特别涉及一种封装结构及电子器件。

技术介绍

[0002]基站是无线通信的关键设备，一般由基带芯片、射频功率放大器(Power Amplifier，PA)、滤波器(Filter)、散热器、电源等部件组成，其主要功能是将来自核心网的控制信令、语音呼叫以及数据业务等信号，经过基带、射频等处理，然后送到天线进行发射，以实现无线覆盖。其中，PA(射频功率放大器)是基站的关键芯片，实现将毫瓦(mW)级别的射频功率，放大到百瓦级别，是基站功耗最大的芯片之一，其在一定程度上决定了基站的效率与功耗。因此，提升PA效率，降低其功耗，是目前基站对射频功率放大器长久的要求，也是行业重要的研究方向。
[0003]现有技术中，PA(射频功率放大器)的主要封装形式是将芯片粘接到第一衬底上，然后芯片的输入端和输出端分别通过键合线连接引脚，芯片通过键合线实现接地，以此将芯片的热量尽快传导出去，降低芯片表面的温度。其中，芯片一般为横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-ox本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一衬底以及设在所述第一衬底上的芯片；所述芯片包括：芯片本体以及位于所述芯片本体上方的第一导电层，所述第一导电层与所述第一衬底通过第一导电件导通；所述芯片本体上还开设有槽孔，所述槽孔内设有第二导电件，且所述第一导电层通过所述第二导电件与所述第一衬底导通。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二导电层；所述第二导电层至少位于所述芯片本体与所述第一衬底之间，且所述第二导电层分别与所述第一导电层和所述第一衬底电连接。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层靠近所述槽孔的位置朝向所述槽孔内延伸并形成延伸导电层，所述延伸导电层的一端与所述第一导电层电连接，所述第二导电层通过所述延伸导电层与所述第一导电层电连接。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述延伸导电层的厚度大于0.1um。5.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层和所述延伸导电层为采用的材料为金、铜、钛、钨、镍或钒中的任意一种或多种。6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层与所述第二导电件电接触，所述第二导电层通过所述第二导电件与所述第一导电层电连接。7.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电件为键合线。8.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电件为键合线。9.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电件为设置在所述槽孔内的金属层。10.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电层上设有至少一个焊盘部，所述第一导电件的一端与所述焊盘部电连接，所述第一导电件的另一端与所述第一衬底电连接。11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宗民，谢荣华，孙益军，曹梦逸，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：