一种掩模版的缺陷检测方法及检测系统技术方案

本申请提供的掩模版的缺陷检测方法及检测系统，极紫外光束入射进入光学单元，所述光学单元改变入射的极紫外光束的光瞳分布，以得到适配检测情况的分辨率，所述极紫外光束对待检测掩模版的缺陷进行检测，本申请提供的掩模版的缺陷检测方法及检测系统，通过针对不同检测情况对分辨率的要求，改变光瞳分布即光瞳函数，从而提高缺陷检测的分辨率。从而提高缺陷检测的分辨率。从而提高缺陷检测的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模版的缺陷检测方法及检测系统


[0001]本专利技术属于光学检测技术，具体涉及一种掩模版的缺陷检测方法及检测系统。

技术介绍

[0002]无缺陷EUV(extremely ultraviolet)掩模制备是制约EUV光刻走向量产的关键问题之一。因此EUV掩模缺陷检测是实现EUV光刻的关键核心技术。EUV掩模缺陷可以分为振幅型缺陷和相位型缺陷两种，其中相位型缺陷是最重要的缺陷。因相位缺陷为EUV掩模版多层结构畸变引起，需要穿透多层结构进行检测，传统基于深紫外或紫外的检测方法无法满足这种要求，需要利用工作波长进行检测。
[0003]为此，研究人员利用了基于EUV波段的光源穿透多层结构进行缺陷检测的方法，其中最典型的是基于Schwarzschild光学系统的暗场检测方法。主要通过该方法由两个曲面镜和一个平面镜组成，平面镜除了对入射光具有转折作用外，还可以遮挡反射光，两曲面镜将缺陷产生的散射光收集到CCD(charge
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coupled device，电荷耦合元件)。该方法的缺点是由于平面反射镜的存在使得曲面反射镜不能太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，包括下述步骤：极紫外光束入射进入光学单元；所述光学单元改变入射的极紫外光束的光瞳分布，以得到适配检测情况的分辨率；所述极紫外光束对待检测掩模版的缺陷进行检测。2.根据权利要求1所述的掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，所述光学单元包括不同相干因子的相干片，所述相干片安装于旋转盘上，通过所述旋转盘的旋转将所述旋转盘位于光路中的适当位置。3.根据权利要求2所述的掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，所述旋转盘位于光阑处。4.根据权利要求1所述的掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，所述光学单元包括沿所述极紫外光束出射方向设置的视场复眼与光阑复眼，通过所述视场复眼与光阑复眼的位置配合，从而在所述光学单元的出瞳处实现多种照明模式。5.一种掩模版的缺陷检测系统，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽萍，张旭，金春水，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：