【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种可以在垂直于衬底的方向上发射激光束的面发射激光器,并尤其涉及一种多波长面发射激光器,其中发射不同波长激光束的不同类型的面发射激光器构成在同一衬底上,还涉及这种多波长面发射激光器的制造方法。一般地,面发射激光器在沉积的半导体材料层表面法线方向发射激光束,不同于边缘发射激光器。另外,因为面发射激光器发射圆波束,与边缘发射激光器不同,所以光学系统不需要校正发射光束的截面形状。另外,面发射激光器可以制造成紧凑的尺寸,并且多个面发射激光器可以集成在一个单一的半导体衬底上,所以能够成为一个二维布局。其结果是,面发射激光器在光学应用领域具有很大的潜力,如用于电子计算器、视听设备、激光打印机、激光扫描仪、医疗设备和通信设备。参见附图说明图1,常规的面发射激光器包括一个衬底10,一个下反射器12,一个活性层14和一个上反射器16,它们依次淀积在衬底10上。衬底10由一种包含预定杂质如n型杂质的砷化钾(GaAs)或磷化铟(InP)形成。上下反射器12和16是分布式布拉格反射器(DBRs),布拉格反射器通过交替淀积成对不同折射率的半导体层而形成。即下反射器12形 ...
【技术保护点】
一种发射具有第一波长的光和第二波长的光的多波长面发射激光器,它包括:一个衬底;一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器,它直接形成在衬底上表面的一部分上,并包括一个通过交替淀积两种具有相同类型的杂质但折射率不同的半导体材料而形成的一个第一下反射器、一个第一活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器的相反的半导体材料层形成的第一上反射器;一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器,它直接形成在衬底上表面邻近第一面发射激光器的部分上,并包括通过交替淀积两个具有不同折射率和相同类型杂质的半导体层而形成的第二下反射器、一个第二活性层和一个通过淀积两个具 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:李银京,郑敏亨,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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