有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置制造方法及图纸

一种有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置。该装置包括位于中央的电流窗孔，由以第一种掺杂物掺杂的ＩＩＩ－ＩＶ－Ｖ半导体复合物制成的量子层形成。该电流窗孔在横向上受ＩＩＩ－ＩＶ－Ｖ半导体复合物的氧化物限制。相邻层也由第一种掺杂物掺杂的ＩＩＩ－ＩＶ－Ｖ半导体材料形成。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及产生光发射的光电子装置，更具体说，是涉及用于激光二极管及有关的光电子装置的高传导载流子隧穿电流窗孔。
技术介绍
高效率的激光二极管，特别是那些有垂直谐振腔并产生单横模辐射的激光二极管，要求把横向电流压缩至10微米或更小的直径。附加的电压降由于电流窗孔的存在，导致阈值电压的增加。使注入的电流隧穿如此小的面积，还在装置内部产生额外的热量。由于光-电流曲线的热翻转，热量产生得越多，光输出功率越低。装置内部产生的热量，还造成热致透镜的存在，而热致透镜则促进不需要的高阶横模的建立。该窗孔引起的复折射率(实部和虚部两者)沿径向分布的变化，会导致散射损耗。现有用于限制激光二极管中电流的已知技术，是台式晶体管蚀刻或质子注入。在垂直腔表面发射激光器(VCSEL)及边缘发射装置中，通过压缩流经优先氧化的窗孔的电流，可以获得非常高的电光转换效率。在由III-V型半导体材料系统，如InAlGaAs形成的VCSEL中，如在U.S.Patent No.5,262,360所公开那样，常常用包含多层的铝氧化物。这些高含铝层一般被含铝少得多的层包围。在氧化时，铝砷(AlAs)被变换为AlxOy层，厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置，特征是： 位于中央的电流窗孔，由以第一种掺杂物掺杂的Ⅲ－Ⅳ－Ⅴ半导体复合物制成的量子层形成，在横向上受Ⅲ－Ⅳ－Ⅴ半导体复合物的氧化物、和由第一种掺杂物掺杂的半导体材料形成的相邻层的限制。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔J埃贝林，
申请(专利权)人：ULM光子学有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]