一种有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置。该装置包括位于中央的电流窗孔，由以第一种掺杂物掺杂的ＩＩＩ－ＩＶ－Ｖ半导体复合物制成的量子层形成。该电流窗孔在横向上受ＩＩＩ－ＩＶ－Ｖ半导体复合物的氧化物限制。相邻层也由第一种掺杂物掺杂的ＩＩ...