一种单层MoS2的带隙调控方法技术

本发明专利技术公开了一种单层MoS2的带隙调控方法，属于新型半导体材料及应用技术领域。它包括采用沉积工艺参数的差异获得不同元素含量和具备不同机械性能的TiAlSiN涂层，再将TiAlSiN涂层作为基底材料，来探讨不同Ti含量的TiAlSiN涂层对MoS2的带隙调控作用，结果发现当TiAlSiN涂层中Ti含量增加时，MoS2的带隙逐渐降低，从而实现了通过MoS2的带隙调控以增加MoS2单层的应用领域和研究范围的技术目的。单层的应用领域和研究范围的技术目的。单层的应用领域和研究范围的技术目的。

【技术实现步骤摘要】
一种单层MoS2的带隙调控方法
[0001]本专利技术涉及二维材料的带隙调控方法，属于新型半导体材料及应用
，具体地涉及一种单层MoS2的带隙调控方法。

技术介绍

[0002]过渡金属硫化物发现在石墨烯之后，其诸多优异特性在实验中也相继被发现和利用，比如优异的力学、电学、光学等特性，这使得其可以在化学、催化、电子、机械等方面具备广泛的应用。并且在研究及应用石墨烯后，人们也联想到过渡金属硫化物或许也能被减薄到当层厚度，由此研究工作者开始广泛的关注单层过渡金属硫化物材料。
[0003]其实早在2005年，Geim和Novoselov两位国际上著名的科学家就已经分离出二维的MoS2，当时大家都觉得它资质平庸，没有深入探究，直到2010年，Kis在Nature Nanotechnology上宣布成功制造出首批基于单层MoS2材料的晶体管，并预测其有望发展成为比传统硅晶体管更节能的小尺寸低电压柔性电子器件，这一突破性进展终于让大家真正开始关注石墨烯以外的二维材料。
[0004]MoS2属于典型的过渡金属硫化物，其为具有金属光泽的黑色固体，不溶于水，溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单层MoS2的带隙调控方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择TiAlSiN涂层作为基底；2)将单层MoS2转移到步骤1)涂层基底表面；3)控制TiAlSiN涂层中Al原子与Ti原子的摩尔比，并借助拉曼光谱仪检测TiAlSiN涂层对MoS2电子能带结构的影响。2.根据权利要求1所述一种单层MoS2的带隙调控方法，其特征在于，步骤2)中，所述单层MoS2为采用机械剥离法在粘弹性基底Gel
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film上制得。3.根据权利要求2所述一种单层MoS2的带隙调控方法，其特征在于，步骤2)中，采用干法转移法将单层MoS2转移到步骤1)涂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏康，尹卓文，刘振兴，宋森杰，
申请(专利权)人：石家庄铁道大学，
类型：发明
国别省市：