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本发明公开了一种单层MoS2的带隙调控方法，属于新型半导体材料及应用技术领域。它包括采用沉积工艺参数的差异获得不同元素含量和具备不同机械性能的TiAlSiN涂层，再将TiAlSiN涂层作为基底材料，来探讨不同Ti含量的TiAlSiN涂层对M...
该专利属于石家庄铁道大学所有，仅供学习研究参考，未经过石家庄铁道大学授权不得商用。

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