高SMSR单向蚀刻激光器和低背反射光子器件制造技术

通过在激光腔中形成一个或多个蚀刻间隙（７８、８０）增强激光器的单向性。这些间隙可以设置于激光器的任何分段中，诸如环形激光器的任何支架，或者Ｖ形激光器（６０）的一个支架（６２）中。与激光器耦合的光子器件远端处的布儒斯特角小面降低了进入激光腔的背反射。分布布拉格反射器在激光器的输出处用于增强激光器的边模抑制率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用于从蚀刻的激光腔提供单向发射并用于从光子器件提供低背反射的方法和装置，尤其涉及与激光输出耦合的光子器件。特别是，本专利技术涉及具有蚀刻间隙的V形激光器和三角环形激光器，以通过提供高边模抑制来控制激光输出处发射的单向性，并涉及布儒斯特角或其附近的蚀刻小面的使用，以最小化光子器件中的背反射。
技术介绍
当前单体集成技术的发展已允许制造各种几何形态的激光器，包括V形激光器和三角环形激光器，如1991年9月16日的Applied Physics Letters，59，pp.1395-97中所描述的。这些发展扩展了集成半导体激光器的应用并提升了对更高制造能力和更低成本的吸引力。该技术使得有机会开发能组合在激光腔之内和之外的新型部件。2002年8月23日提交并转让给本受让人的共同待批的美国专利申请No.10/226076“Wavelength Selectable Device”(结合在此作为参考)揭示了单体结构，其通过器件几何形态的合适选择防止来自诸如电吸附调制器(EAM)的元件的入口小面的背反射进入用作元件光源的激光腔。在这种配置中，单向发射的激光器是期望的，以便最大化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，其特征在于，包括：半导体激光腔，具有至少一分段和至少一输出；至少一个蚀刻间隙，它位于所述至少一分段中；以及至少一个分布布拉格反射器（ＤＢＲ），它位于所述至少一个输出处。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：AA贝法尔，小AT施雷默尔，CB斯塔盖瑞斯库，
申请(专利权)人：宾奥普迪克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]