一种三态内容寻址存储器制造技术

技术编号:33135059 阅读:33 留言:0更新日期:2022-04-17 00:58
本发明专利技术公开了一种三态内容寻址存储器,包括与TCAM单元连接的匹配线,TCAM单元中设有比较单元;所述比较单元设有用于对匹配线放电的放电电路,该放电电路设有2级NMOS管;所述匹配线通过放电电路连接负压电路;所述负压电路包括:与放电电路连接的第一金属线,以及与第一金属线连接的负压控制单元;所述负压控制单元,其在匹配线求值过程中,将第一金属线设置为负压。本发明专利技术能在匹配线求值时,将第一金属线下拉为负压,第一金属线下拉为负压后,可增大放电电路中NMOS管的VGS电压,从而可加大放电电流,可使匹配线放电速度变快,进而使匹配线求值速度变快,提高搜索操作的效率,进而提高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种三态内容寻址存储器


[0001]本专利技术涉及一种三态内容寻址存储器。

技术介绍

[0002]三态内容寻址存储器TCAM(Ternary Content Addressable Memory)是从内容可寻址存储器CAM(Content Addressable Memory)基础上发展而来的。TCAM的一个存储单元可以存储0、1或X中的一种状态。关键字(key)通过搜索线SL(Search Line)与TCAM存储的表项(entry)连接。输入关键字后,TCAM存储整列中每条表项会同时与关键字做匹配,这个操作就叫搜索,也称作匹配线ML(Match Line)的求值。如果关键字同一条表项匹配,相应的匹配线ML会保持在高电平,对应的灵敏放大器SA(Sense Amplifier)输出高电平“1”,则表示该表项与关键字匹配。如果关键字同表项不匹配,相应的匹配线ML会被不匹配的TCAM位(bit)放电,匹配线ML电压被放电至低于灵敏放大器阈值电压,灵敏放大器输出低电平“0”,表示该表项与关键字不匹配。TCAM的工作频率,取决于搜索操作的快慢,核心取决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三态内容寻址存储器,包括与TCAM单元连接的匹配线,TCAM单元中设有比较单元;所述比较单元设有用于对匹配线放电的放电电路,该放电电路设有2级NMOS管;其特征在于,所述匹配线通过放电电路连接负压电路;所述负压电路包括:与放电电路连接的第一金属线,以及与第一金属线连接的负压控制单元;所述负压控制单元,其在匹配线求值过程中,将第一金属线设置为负压。2.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器,其特征在于,所述负压控制单元,其在匹配线求值之前,将第一金属线预设为低电平。3.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器,其特征在于,所述负压控制单元包括:负压控制信号线,反相器,第零NMOS管,以及与第一金属线形成耦合电容的第二金属线;所述负压控制信号线与反相器的输入端连接;反相器的输出端与第二金属线连接,反相器的输出端还与第零NMOS管的栅极连接;第零NMOS管的漏极与第一金属线连接,第零NMOS管的源极接地。4.根据权利要求3所述的三态内容寻址存储器,其特征在于,所述匹配线还配有由求值使能信号控制的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈彪吴浩
申请(专利权)人:苏州腾芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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