三态内容寻址存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的搜索线；所述搜索线配有升压电路；所述升压电路包括：设置在搜索线一侧且与搜索线形成耦合电容的金属线，以及与金属线连接的升压控制单元；所述升压控制单元在搜索线处于高电平时，将金属线设置为高电平；且金属线通过耦合电容提高处于高电平的局部搜索线的电压。本发明专利技术能在搜索线处于高电平时进一步提高搜索线的电压，搜索线电压提高后，可增大TCAM单元中为匹配线放电的NMOS管的VGS电压，从而可加大放电电流，可使匹配线放电速度变快，进而使匹配线求值速度变快，提高搜索操作的效率，进而提高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。频率和性能。频率和性能。

【技术实现步骤摘要】
三态内容寻址存储器


[0001]本专利技术涉及三态内容寻址存储器。

技术介绍

[0002]三态内容寻址存储器（TCAM，Ternary Content Addressable Memory）主要用于快速查找ACL、路由等表项，它是从CAM的基础上发展而来的。一般的CAM存储器中每个bit位的状态只有两个，“0”或“1”，而TCAM中每个bit位有三种状态，除掉“0”和“1”外，还有一个“don
’
t care”状态，所以称为“三态”，它是通过掩码来实现的，正是TCAM的这个第三种状态特征使其既能进行精确匹配查找，又能进行模糊匹配查找，而CAM没有第三种状态，所以只能进行精确匹配查找。
[0003]TCAM的工作频率，取决于搜索操作的快慢，核心取决于匹配线ML放电速度（即求值）的快慢。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的局部搜索线；所述局部搜索线配有升压电路；所述升压电路包括：设置在局部搜索线一侧且与局部搜索线形成第一耦合电容的第一金属线，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三态内容寻址存储器，包括与TCAM单元连接的局部搜索线；其特征在于，所述局部搜索线配有升压电路；所述升压电路包括：与局部搜索线形成第一耦合电容的第一金属线，以及与第一金属线连接的升压控制单元；所述升压控制单元在局部搜索线处于高电平时，将第一金属线设置为高电平。2.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，还包括与TCAM单元连接且与局部搜索线互补的互补局部搜索线；所述升压电路还包括：与互补局部搜索线形成第二耦合电容的第二金属线；升压控制单元还与第二金属线连接；所述升压控制单元在互补局部搜索线处于高电平时，将第二金属线设置为高电平。3.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，还包括：用于驱动局部搜索线的全局搜索线，以及用于驱动互补局部搜索线的互补全局搜索线。4.根据权利要求3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述升压控制单元包括：升压控制信号线，第一反相器，第二反相器，第一PMOS管，第三PMOS管，第一NMOS管；所述升压控制信号线与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端与第一金属线连接；所述升压控制信号线还与第一PMOS管的栅极连接；第一PMOS管的源极与电源连接，第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接，第三PMOS管的漏极与第一N...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彪，吴浩，
申请(专利权)人：苏州腾芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：