一种可调谐紫色激光晶体Cr**:REA*(BO*)*制造技术

本发明专利技术阐述一种可调谐紫色激光晶体Ｃｒ↑［３＋］∶ＲＥＡ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］［ＲＥＡ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］［ＲＥ：稀土离子如Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ等，Ａ＝Ｓｃ，Ａｌ，Ｇａ等］属于三方晶系，空间群为Ｒ３２，是一种低阈值、高增益和较大非线性光学系数的倍频晶体。它物化性能良好，不解理，耐强酸强碱，在强光照射下不易产生色心。当掺杂Ｃｒ↑［３＋］激活离子时，Ｃｒ↑［３＋］∶ＲＥＡ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］便成为自倍频激光晶体。其吸收光谱中存在有４２０ｎｍ和６００ｎｍ的吸收峰，而在３３０～３７０ｎｍ处透光，其荧光谱在６７０ｎｍ～７５０ｎｍ出现一个很强的荧光谱带。所以当采用６００ｎｍ左右的泵浦光源泵浦时，将产生６７０ｎｍ～７５０ｎｍ的可调谐激光，经过晶体自身的倍频，便可以产生３３０～３７０ｎｍ的可调谐紫色激光输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体材料领域，特别是涉及一种自倍频多功能激光晶体Cr3+:REA3(BO3)4，其中RE为稀土离子如La，Y，Gd等；A为Sc，Al，Ga等。
技术介绍
光电子材料与技术是当今高新技术发展中最迅速的一个领域，也是世界各国激烈竞争的焦点。由于小型低功率兰紫色激光光源在高密度光盘存储、激光打印、彩色显示、高分辨率光谱、海底通讯及激光医疗等领域存在着广泛的应用前景，使得兰紫光材料成为世界光电子领域研究的一个热点。各国科学家寄希望于半导体二极管直接激射，或者通过频率转换输出兰紫光，开发出实用化的小型低功率兰紫光器件。半导体二极管直接激射产生兰紫光的研究，目前主要是GaN和ZnSe两种系列材料，以GaN为基底的兰光二极管发展很快，日本Nichia chemicalindustry公司在410nm已实现较长时间的运转，第一支商品化兰光二极管有5mw的输出功率。但是，由于GaN生长的位错密度高达＞100/cm2，严重影响器件的寿命，而低位错密度的GaN生长又十分困难，从而影响它的商品化的快速进展，而且，GaN的3.4eV的带宽注定它的激射波长不会低于370nm。利用非线性光学晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调谐紫色激光晶体Ｃｒ↑［３＋］：ＲＥＡ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］，其特征在于：在Ｃｒ↑［３＋］：ＲＥＡ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］中，ＲＥ＝Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ；Ａ＝Ｓｃ，Ａｌ，Ｇａ；该晶体属于三方晶系，其空间群为Ｒ３２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：涂朝阳，游振宇，朱昭捷，李坚富，王燕，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]