半导体波导器件中输出光束发散的控制制造技术

一种整合了束控制层（４２，４１）以减小远场和束发散的半导体激光器件。在所述束控制层中，通过提供第一子层（４２）和第二子层（４１），在第一子层中性质逐渐从第一水平变化到第二水平，在第二子层中性质逐渐从所述第二水平变化到第三水平，从而使半导体材料的物理性质作为束控制层的深度而变化。在优选设置中，在束控制层中半导体的导带边缘具有Ｖ形分布。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体波导器件，尤其涉及控制自其的光学输出光束发散的方法。
技术介绍
在适于用在电信和印刷应用中的半导体激光器、放大器、调制器和其他波导的制造中，本专利技术具有虽然不是唯一的但却有特别的用途，其要求对其他光学组件(例如光波导)的耦合损耗低且无纽结(kink-free)功率输出高。更具体而言，本专利技术在电信应用的980nm泵浦激光器的制造中以及在印刷应用中的830nm高功率激光器的制造中有着虽然不是唯一但却是特别的用途。常规的半导体激光器通常提供截面基本为椭圆形的输出光束。参考图1，这种常规激光器一般包括形成于衬底10上的一系列层，包括下覆层11、光学有源芯区12和上覆层13。在常规的脊型激光器中，横向光学限制是通过脊波导14实现的，在脊波导14上可以淀积适当的电接触材料15，用来提供电注入以驱动激光发射模式。获得的输出光束16如图所示沿着纵轴或z轴从输出端17出射。芯区12一般包括多层，例如界定量子阱的中央层12a，以及两个或更多外层12b、12c，外层的组分以至层内深度的函数变化，以提供所谓的梯度折射率独立限制异质结构(GRINSCH)芯区12。图1的结构提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光波导器件，其包括：第一覆层；第二覆层；以及波导层，设置在所述第一和第二覆层之间并具有比所述第一和第二覆层基本上更高的折射率；其中所述第一和第二覆层中的至少一个包括束控制层，在所述束控制层中半导体材 料的性质在层中作为深度的函数而变化，所述束控制层包括第一子层和第二子层，在所述第一子层中性质逐渐从第一水平变化到第二水平，在所述第二子层中性质逐渐从所述第二水平变化到第三水平。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇伯仓，
申请(专利权)人：英坦斯有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]