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一种整合了束控制层（４２，４１）以减小远场和束发散的半导体激光器件。在所述束控制层中，通过提供第一子层（４２）和第二子层（４１），在第一子层中性质逐渐从第一水平变化到第二水平，在第二子层中性质逐渐从所述第二水平变化到第三水平，从而使半导体材...
该专利属于英坦斯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英坦斯有限公司授权不得商用。

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