一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法，所述器件可饱和吸收器件采用数个原子层厚的锗材料作为可饱和吸收层，进行调Q和锁模，所述数个原子层厚的锗材料包括金刚石结构的半导体锗缓冲层以及在此之上生长的六元环形型结构的锗烯。解决原子层厚可饱和吸收体的光调制深度小和非饱和损耗大的问题。度小和非饱和损耗大的问题。度小和非饱和损耗大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法


[0001]本专利技术设计一种可饱和吸收器件，特别是一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]超快脉冲激光器具有峰值功率高，脉冲宽度窄的优点，在工业加工、光通讯、医疗手术、军工、科研等领域，都有着广泛的应用。为了实现激光器的超快脉冲输出，目前最常见的方法是在激光谐振腔中插入可饱和吸收器件，实现被动调Q和锁模脉冲输出。这种方法不需要外接电场调制，方便高效，集成性高，且输出性能优越。目前市场上主要使用的可饱和吸收器件是半导体可饱和吸收镜(SESAM)。但是，半导体可饱和吸收镜在实际应用中，存在一些难以克服的缺点。首先，SESAM制备工艺复杂，需要昂贵的基于洁净室的制造系统，制作成本高；其次，由于
Ⅲ‑Ⅳ
族半导体的固有带隙，饱和吸收光谱范围狭窄；再次，SESAM的非线性调制深度有限，光损伤阈值也很低，在高功率激光应用时寿命受到限制。
[0003]近年来涌现了一批基于新型二维材料的可饱和吸收体，如石墨烯、碳化镆等。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.数个原子层厚的锗材料在超快脉冲激光器调Q和锁模中的应用。2.一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件，其特征在于，采用权利要求1所述的数个原子层厚的锗材料作为可饱和吸收层，进行调Q和锁模，所述数个原子层厚的锗材料包括金刚石结构的半导体锗缓冲层以及在此之上生长的六元环形型结构的锗烯。3.根据权利要求2所述的可饱和吸收器件，其特征在于，还包括位于所述可饱和吸收层一侧的基底层，和位于所述可饱和吸收层另一侧的封装保护层。4.根据权利要求3所述的可饱和吸收器件，其特征在于，所述基底层也是反射层。5.根据权利要求4所述的可饱和吸收器件，其特征在于，所述基底层采用用于反射的金(111)、银(111)或铂(111)。6.根据权利要求3所述的可饱和吸收器件，其特征在于，所述封装保护层是厚度为20
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30nm的六方氮化硼薄膜。7.根据权利要求3
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6任一条所述的可饱和吸收器件，其特征在于，所述封装保护层的另一侧还具有折射率匹配层。8.一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍小志，鲍桥梁，
申请(专利权)人：南京科耐激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：