温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法，所述器件可饱和吸收器件采用数个原子层厚的锗材料作为可饱和吸收层，进行调Q和锁模，所述数个原子层厚的锗材料包括金刚石结构的半导体锗缓冲层以及在此之上生长的六元环形型结...
该专利属于南京科耐激光技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京科耐激光技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。