一种溅镀镀膜设备制造技术

本发明专利技术涉及镀膜技术领域，具体为一种溅镀镀膜设备，包括箱体、固定连接在箱体一侧壁的固定杆、靶材支架、靶材、基片支架和基片，靶材固定安装在靶材支架的一侧，基片支架设于远离靶材一端的箱体内，基片固定安装在基片支架的一侧，所述箱体的侧壁上开设有两个对称设置的滑槽，所述基片支架的两端均固定安装有滚轮，且滚轮在滑槽的内部滑动。本发明专利技术通过设置第一活塞、第一伸缩杆等机构，镀膜开始前基片支架处于滑槽中部的平衡位置，通过观察指针所指刻度，并且根据镀膜材料的特性向第一活塞与箱体之间的空间充入或者释放氩气用来调节第一活塞的位置，实现对基片位置的调节，达到对基片镀膜时的均匀性。镀膜时的均匀性。镀膜时的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种溅镀镀膜设备


[0001]本专利技术涉及镀膜
，具体为一种溅镀镀膜设备。

技术介绍

[0002]溅镀，通常指的是磁控溅镀，该工艺要求真空度在1
×
10
‑
3Torr左右，即1.3
×
10
‑
3Pa的真空状态充入惰性气体氩气，并在塑胶基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压直流电，由于辉光放电产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在塑胶基材上。
[0003]现有专利(公告号：CN109402584A)一种溅射距离可调的磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空室，内部设置有基片架以及输送基片架的传送机构，所述基片架底部具有研磨棒；用于托起基片架的提升机构，包括可竖直升降的提升滑块以及与提升滑块配合的提升滑座，所述提升滑块具有与所述研磨棒的端部相配合的支撑部；以及在托起基片架后驱动提升机构及基片架沿垂直传送机构行进方向移动的平移机构。
[0004]上述专利通过在传统溅镀技术限制基片与靶材之间距离的基础上设置在托起基片架后驱动提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅镀镀膜设备，包括箱体(1)、固定连接在箱体(1)一侧壁的固定杆(2)、靶材支架(3)、靶材(4)、基片支架(5)和基片(6)，固定杆(2)的一端固定连接在靶材支架(3)的中部，靶材(4)固定安装在靶材支架(3)的一侧，基片支架(5)设于远离靶材(4)一端的箱体(1)内，基片(6)固定安装在基片支架(5)的一侧，其特征在于：所述箱体(1)的侧壁上开设有两个对称设置的滑槽(7)，所述基片支架(5)的两端均固定安装有滚轮(8)，且滚轮(8)在滑槽(7)的内部滑动，所述基片支架(5)的中部固定安装有第一伸缩杆(9)，所述第一伸缩杆(9)的一端固定安装有第一活塞(10)，所述第一伸缩杆(9)上套设有第一弹簧(11)，且第一弹簧(11)的两端分别固定连接在基片支架(5)和第一活塞(10)上，所述第一活塞(10)的一侧固定安装有两个对称设置的第二弹簧(12)，两个所述第二弹簧(12)的一端固定安装在箱体(1)的内部上，所述箱体(1)的一侧内开设有第一内腔(13)，所述第一内腔(13)的内部固定安装有透明刻度板(14)，所述第一活塞(10)上固定安装有指针(15)，所述指针(15)的针尖指向透明刻度板(14)的刻度；所述箱体(1)的一侧固定安装有收集箱(16)，所述收集箱(16)的内部设有用于回收再利用箱体(1)内部的氩气的二次利用机构，所述箱体(1)的侧壁上开设有第一凹槽(23)，所述箱体(1)的顶壁上开设有第二凹槽(37)，所述第一凹槽(23)和第二凹槽(37)的内部均设有用于防止箱体(1)内氩气回流的控制机构，所述箱体(1)的外侧设有水泵(28)，所述箱体(1)和靶材(4)内设有用于降低靶材(4)温度的冷却机构，所述固定杆(2)上设有用于控制水泵(28)启停的控制开关，所述箱体(1)和收集箱(16)的内部设有用于移动基片(6)的驱动机构，所述箱体(1)的侧壁内固定安装有通气管(40)，所述箱体(1)的侧壁内设有用于连通通气管(40)并控制出气的排气机构。2.根据权利要求1所述的一种溅镀镀膜设备，其特征在于：所述二次利用机构包括固定安装在箱体(1)底端的真空泵(17)，所述收集箱(16)的底端固定安装有导气管(18)，所述真空泵(17)的排气管与导气管(18)通过软管连接，所述收集箱(16)的内部固定安装有隔板(19)，所述隔板(19)上开设有第一通气口(20)，且隔板(19)和第一通气口(20)之间设有4A分子筛(21)，所述收集箱(16)的侧壁上开设有第二通...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪子健，周进，
申请(专利权)人：汪子健，
类型：发明
国别省市：