【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于锂二次电池的正极活性物质、其制备方法和包括其的锂二次电池
[0001]本专利技术涉及一种正极活性物质、其制备方法和包括其的锂二次电池。更具体地，涉及一种具有提高的寿命并且同时表现出高容量的正极活性物质、其制备方法和包括其的锂二次电池。
技术介绍
[0002]随着智能手机、MP3播放器、平板电脑等便携式移动电子设备的发展，对能够存储电能的二次电池的需求呈爆炸式增长。具体地，随着电动汽车、大中型储能系统以及需要高能量密度的便携式设备的出现，对锂二次电池的需求正在增加。
[0003]随着对锂二次电池的需求增加，正在进行各种研究和开发旨在改善用于锂二次电池的正极活性物质的特性。例如，在韩国专利公开公报10
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2014
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0119621(申请号10
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2013
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0150315)中，公开了一种具有高电压容量和长寿命特性的二次电池，其中使用用于制备锂过量正极活性物质的前体调节前体中取代的金属的种类和组成，调节添加的金属的种类和添加量。
专利技术内...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种正极活性物质，包括由多个初级颗粒的聚集体组成的次级颗粒，包括设置在所述次级颗粒的表面的初级颗粒中的至少一部分为具有彼此面对的一对第一晶面的薄片(flake)形状的第一初级颗粒，所述第一初级颗粒的所述第一晶面向放射形方向排列，所述一对第一晶面的一端具有不同于所述第一晶面的多个晶面以连接一对第一晶面的一端，所述第一初级颗粒的纵剖面包括彼此相隔的一对第一晶面以及连接所述一对第一晶面的一端的第二晶面和第三晶面，所述第二晶面和第三晶面设置在所述次级颗粒的最外面且连接成具有角度。2.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中所述第一初级颗粒具有作为所述第一晶面的长轴的第一长度、作为垂直于所述第一长度的所述第一晶面的短轴的第二长度以及作为所述一对第一晶面之间的间隔的第三长度，其中所述第三长度在10nm至400nm的范围内。3.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述第一长度与所述第三长度的比在2至100的范围内，并且所述第二长度与所述第三长度的比在1.5至80的范围内。4.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述正极活性物质为层状菱形系(Rhombohedral system)化合物，所述第一晶面为((hkl)，其中h＝0，k＝0，l＝3n，并且n为整数)，所述第一晶面的配置不同于所述第二晶面和所述第三晶面。5.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述第二晶面与第三晶面之间的角度在30
°
至170
°
的范围内。6.根据权利要求1所述的正极活性物质，使用所述正极活性物质作为正电极并使用锂金属作为负电极制成的2032硬币型半电池(half
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cell)经历在0.5C恒定电流下充电至4.3V并以0.5C恒定电流放电至2.7V的100次循环后，dQ/dV曲线中与H2到H3的相变对应的峰的强度相比于1次循环为40％以上。7.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中所述初级颗粒包括镍(Ni)、M1和M2，其中所述M1由锰(Mn)、钴(Co)和铝(Al)中的至少任意一种构成，所述镍(Ni)含量为65mol％或更大，所述M2是掺杂元素，并且按0.05mol％至5mol％构成。8.根据权利要求7所述的正极活性物质，其中所述M2由以下两者之一构成：硼(B)；或者硼(B)以及选自于钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、硅(Si)、锡(Sn)、锆(Zr)、钙(Ca)、锗(Ge)、镓(Ga)、铟(In)、钌(Ru)、碲(Te)、锑(Sb)、铁(Fe)、铬(Cr)、钒(V)和钛(Ti)中任意一种以上。9.根据权利要求8所述的正极活性物质，其中所述第二晶面及第三晶面上具有覆盖所述第二晶面和第三晶面的至少一部分的包括硼(B)的涂覆层。10.根据权利要求9所述的正极活性物质，其中所述硼(B)的浓度在所述次级颗粒中是均匀的，并且在所述涂覆层中具有浓度梯度，其中在所述涂覆层中的硼(B)的平均浓度比在所述次级颗粒中的硼(B)的平均浓度高。11.根据权利要求10所述的正极活性物质，其中所述涂覆层包括LiBO2、LiB3O5、LiB5O8、
α
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LiBO2、Li2B2O4、Li2B2O7、Li2B4O7、Li2B6O7、Li2...
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