用于微器件包装的载体基板制造技术

带有激光源的一种载体基板（１００）包括一种透明中心基板（２０）；上基板（３０），这种上基板（３０）粘附到这种中心基板并具有开口（４０），这些开口（４０）在所述上基板中形成以在第一侧面上暴露该中心基板；以及一种下基板（３２），该下基板在与该第一侧面相对的第二侧面上粘附到该中心基板并具有开口（４２），这种开口（４２）在该下基板中形成以在该第二侧面上暴露该中心基板，在该下基板上的这些开口对应于在该上基板中的这些开口的位置。变频元件（６０）设置在该下基板的这些开口中的该中心基板上。激光器模（７０）与这些变频元件对准并耦合到该下基板，以在运行期间提供穿过这些变频元件和该中心基板的光。本发明专利技术还公开了用于制造的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子元器件包装，尤其涉及具有在一种栽体基板上面 或内部制成的多个微器件的一种载体模块。
技术介绍
可按照阵列类型的设置制造微器件，如集成电路、二极管和激光 器。这些设置通常要求将单个器件以排或列布置在印刷布线板上或其 它载体上。通常单独制造这些微器件，并将这些微器件依次置于这种 板上。这种依次布置产生公差和对准问题。提供一种在其中可靠地进行微器件的定位和布置的栽体往往是有 利的。将这种载体用于提供这些微器件的运行所需的特征往往也是有 利的。
技术实现思路
带有激光源的一种载体基板包括一种透明中心基板、上基板和下 基板，这种上基板粘附到这种中心基板并具有开口，这些开口在这种 上基板中形成以在第一侧面暴露该中心基板，该下基板在与该第一侧 面相对的笫二侧面上粘附到该中心基板并具有开口 ，这些开口在这种 下基板中形成以在该第二侧面暴露该中心基板。在该下基板上的这些 开口对应于在该上基板中的这些开口的位置。变频元件设置在该下基 板的这些开口中的该中心基板上。激光器模与这些变频元件对准并耦 合到该下基板，以在运行期间提供穿过这些变频元件和该中心基板的 光。本专利技术还公开了用于制造的方法。例如，用于制造带有激光源的 栽体基板的方法包括将一种上基板结合到一种透明中心基板的第一侧 面、将一种下基板结合到这种中心基板的与该第一侧面相对的第二侧 面、形成穿过该上基板和该下基板到该中心基板的开口 ，以使这些开 口在该中心基板的相对侧面上对应。将一种变频元件附接到在这些开 口中的第一侧面上的中心基板上，或者在这些开口中的第一侧面上的中心基板上生长一种变频元件。将一个或多个激光器模与每个变频元 件对准，并将这些激光器模耦合到该下基板，以通过该变频元件和该 中心基板连通来自这些激光器模的光。从下面结合附图阅读的对本专利技术的例证性实施例的详细描述就会 明白本专利技术的这些和其它目的、特征和优点。附图说明将在下面的对优选实施例的描述中对本专利技术进行详细说明并参考附图，在这些图中图1A是具有在其上面形成的加热器和传感元器件的透明基板的 仰视图；图1B是在图1A的截面线1B-1B截取的截面图；图2是示出了结合到该中心基板的上基板和下基板的截面图；图3是示出了上基板和下基板的截面图，对上基板和下基板进行光刻以打开下至该中心基板的腔体；图4A是示出了一种导体的仰视图，将这种导体图案化以用于连接线，这些连接线用于该载体基板的元器件；图4B是在图4A的截面线4B-4B截取的截面图；图5是示出了与该中心基板接触放置的变频元件的截面图；图6是示出了与这些变频元件对准放置的激光器模的截面图；图7是示出了用于将这些激光器模定位和对准的替代实施例的细节的截面图；图8是示出了置于该载体基板上的频率选择镜(如布拉格镜)的 截面图；图9是示出了连接到这些激光器模的电源的仰视图；图10是示出了在这些激光源的运行期间正在发射的激光的截面图；图11是示出了用于制造根据本专利技术的例证性实施例的 一种载体基 板的步骤的流程图。具体实施方式本专利技术描述了一种用于安装和结合多个微器件的载体基板。利用光刻对这种载体基板进行处理，因此，这种载体基板具有器件尺寸和 节距的布置和控制精度高的优点。在一个特别有用的实施例中，提供 一种载体基板以用于一种微型化多色激光单元。可通过利用光刻和薄 膜技术的工艺步骤形成一种微型化多色激光单元。在一个示例中，这些部件可包括如激光器、变频元件(如第二谐波发生(SHG)晶体) 和布拉格镜。利用硅基板和薄膜制造技术通过一种"智能"载体基板 上的连续层形成一种基本激光源模块的这些部件。这样就非常精确地 组装这些部件并相互靠近。这种晶片水平的处理允许以一个工艺流程 在一个板上产生许多模块，从而可降低成本和价格。应理解，将就激光器模块对本专利技术进行描述；不过，本专利技术的教 导要宽广得多并适用于可安装在定位于或置于一种载体基板上的任何 元器件。优选利用光刻将本说明书中所描述的实施例定位，并因此而 根据所选择的光刻工艺的可用精度将这些实施例定位。应注意，优选 光刻处理，但光刻处理仅是例证性的。也可采用其它处理技术。还应理解，这些激光器模块的例证性示例可适合于包括其它的电 子元器件。这些元器件可与这种基板栽体整体形成或者安装在这种基 板载体或其它元器件上。此外，这些激光器模块及其元器件可根据用 途和激光器模块的设计而变化。可以硬件的各种组合实现示于附图中 的这些元件，且这些元件可提供可结合在单元件或多个元件中的功能。下面的附图示出了形成一种基板载体的例证性处理步骤，这种基 板载体带有结合在其中的多个激光器模块。在这些附图中，类似的附 图标记表示相同或类似的元件，首先参看图1A，基板20包括一种透 明材料(如可透过激光)，如玻璃或掺杂玻璃。基板20可包括具有受 限折射指数的材料。优选基板20包括一种具有足够完整性和强度的材 料，以起到用于包装多个元件或器件的一种栽体的作用。透明基板20 的顶部表面和底部表面可具有专用光学涂层，以减少激光的传输损失。 为了提高这种系统的特性或稳定性，形成一种加热器22或将一种加热 器22粘附到基板20的表面。加热器22可包括电阻材料，以产生到基板20的热，以在后来会 安装变频元件60的位置保持基板20的稳定再现温度，见图5。可形成 一种传感器24或将一种传感器24粘附到基板20，以提供用于加热器 22的反馈测量(feedbackmeasure)以根据与设定点温度的测量比较控制何时将加热器打开或关闭。优选通过材料的淀积形成加热器22和传 感器24，并且利用光刻和蚀刻将所淀积的材料图案化。也可采用其它 方法，如可预先制造加热器22和传感器24，并用胶粘剂或其它粘合剂 粘附到基板20。参看图1B，在图1A的截面线1B-1B截取的截面图示出了下基板 20的表面上形成的加热器22和传感器24。由于可优选光刻用于将这 些加热器22和传感器24定位，所以这些器件之间的节距p (图1A) 在由这种光刻工艺所提供的精确公差内。参看图2，利用如粘合剂或胶合剂34将基板30和32结合到基板 20。优选用硅更优选用单晶硅形成基板30和32，但也可采用其它的基 板材料。基板30和32可包括集成元件或其它任何结构或器件，这些 集成元件如电子元器件、晶体管、被动元件和光学元件。胶合剂34将 基板30和32结合到基板20。可通过将这种子组件加热来将胶合剂34 固化。胶合剂34可包括聚合材料，如BCB(苯并环丁烯)，正如将在 随后的步骤中描述的那样，这种聚合材料能够被蚀刻。将胶合剂34均 匀地分布，以提供穿过基板20 (在两侧上)的一致厚度。基板20的两 个侧面上的胶合剂34的厚度不必相同。在结合之后将基板30和32平面化。这可包括基板30和32的机械 抛光，以在基板20外部相对的侧面上提供非常平的/光滑的表面。参看图3，利用光刻在基板30和32的表面上形成一种抗蚀剂，并 将这种抗蚀剂图案化以形成一种蚀刻掩膜。这种蚀刻掩膜用于在去除 其它部分时基板30和32的部分。将基板30和32以及胶合剂34蚀刻 以形成腔体40和42。这种蚀刻可包括选择用于基板20、加热器22和 传感器24的材料的干蚀刻或湿蚀刻。可按步骤进行这种蚀刻工序。例 如， 一种蚀刻工序可以是将激光30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有激光源的载体基板（１００），所述载体基板（１００）包括：　透明中心基板（２０）；　上基板（３０），所述上基板（３０）粘附到所述中心基板并具有开口（４０），所述开口（４０）在所述上基板中形成以在第一侧面上暴露所述中心基板；　下基板（３２），所述下基板在与所述第一侧面相对的第二侧面上粘附到所述中心基板并具有开口（４２），所述开口（４２）在所述下基板中形成以在所述第二侧面上暴露所述中心基板，在所述下基板上的所述开口对应于在所述上基板中的所述开口的位置；　变频元件（６０），所述变频元件（６０）设置在所述下基板的所述开口中的所述中心基板上；以及　激光器模（７０），所述激光器模（７０）与所述变频元件对准并耦合到所述下基板，以在运行期间提供穿过所述变频元件和所述中心基板的光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：ECE格伦斯文，W霍文，APM阿伦唐克，OTJA威坎普，OTJA弗穆伦，MA萨姆伯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]