一种半导体驱动HVIC制造技术

本实用新型专利技术涉及电子电路技术领域，具体公开了一种半导体驱动HVIC，包括电源电路、保护电路、报错电路、高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，所述保护电路分别与电源电路及报错电路电性连接，所述互锁电路分别与所述高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，所述使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接。本实用新型专利技术通过使能电路中的使能引脚EN1选择控制高侧驱动电路中的脉冲电路输出脉冲信号，进而控制高压DMOS管的开通和关断，以提高该半导体驱动HVIC的应用性及其可靠性。的应用性及其可靠性。的应用性及其可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体驱动HVIC


[0001]本技术涉及电子电路
，特别涉及一种半导体驱动HVIC。

技术介绍

[0002]HVIC，即高压集成驱动IC，是利用单片机的输入信号直接驱动功率MOSFET和IGBT门极的耐高压IC，可以替代常见的脉冲变压器和光耦。通过电平整流器电路，在半导体芯片内部实现电介质绝缘。内置各种保护功能(电源电压过低保护、互锁功能、输入信号过滤功能、错误输出功能等)可以提高设备的可靠性。HVIC广泛应用于通用逆变器、交流伺服电机、直流无刷电机、荧光灯和HID照明、LED照明、IH烹调加热器、空调、洗衣机和各种IPM模块。
[0003]目前的高压集成驱动HVIC,内部低压区与高压区的过渡是用CMOS传导“脉冲发生电路(PULSE GEN)”的脉冲，控制高压DMOS导通关断来实现，HVIC中，PLUSE GEN信号有ONESHOT电路(产生一个脉冲)和DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)两种方案。HVIC中一般都采用ONESHOT电路(产生一个脉冲)或DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来控制高压DMOS开通和判断。当HVIC内部采用ONESHOT电路(产生一个脉冲)驱动DMOS开通和关断，在某些工况下，VS从负恢复的时间较长，这个pluse信号可能被淹没，导致HIN与HOUT不同步，影响HVIC正常工作，严重时可能会出炸机。在这种情况下，我们可以选用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来驱动高压DMOS开通和关断。然而当HVIC内部采用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)来控制高压DMOS开通和关断，但一般使用的场合，用ONESHOT电路就足够了，在没有特殊情况下，一直用DOUBLE PLUSE电路(产生两个脉冲)会增加HVIC功耗。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种半导体驱动HVIC，通过使能电路中的使能引脚EN1选择控制高侧驱动电路中的脉冲电路输出脉冲信号，进而控制高压DMOS管的开通和关断，以提高该半导体驱动HVIC的应用性及其可靠性。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：
[0006]一种半导体驱动HVIC，包括电源电路、保护电路、报错电路、高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，所述保护电路分别与电源电路及报错电路电性连接，所述互锁电路分别与所述高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，所述使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接。
[0007]优选地，所述高侧驱动电路包括自举电路、高侧欠压保护电路及脉冲电路，所述脉冲电路分别与所述使能电路、自举电路、高侧欠压保护电路及互锁电路电性连接。
[0008]优选地，所述半导体驱动HVIC还包括信号输入电路、低压
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高压过渡电路、低压保护电路、误动作防止电路及信号输出电路，所述互锁电路分别与信号输入电路及脉冲电路电性连接，所述低压
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高压过渡电路及信号输出电路均分别与所述脉冲电路、低压保护电路及误动作防止电路电性连接。
[0009]优选地，所述脉冲电路包括脉冲选择电路及脉冲发生电路，所述脉冲选择电路由
两个三与门、一个非门及两个两或门组成，所述脉冲发生电路由一个ONESHOT脉冲电路及一个DOUBLE PLUSE脉冲电路组成。
[0010]优选地，所述ONESHOT脉冲电路及DOUBLE PLUSE脉冲电路均分别与所述三与门及两或门连接，所述非门与所述三与门连接。
[0011]优选地，所述信号输入电路包括若干个施密特触发器、若干个低通滤波器及若干个VREG发生电路，所述低通滤波器分别与所述施密特触发器及VREG发生电路电性连接，所述VREG发生电路分别与所述互锁电路、脉冲电路及报错电路电性连接。
[0012]优选地，所述报错电路包括故障逻辑控制电路及过压检测电路，所述故障逻辑控制电路分别与所述过压检测电路、VREG发生电路及脉冲电路电性连接。
[0013]优选地，所述使能电路包括使能引脚EN1，所述使能引脚EN1通过所述信号输入电路分别与所述ONESHOT脉冲电路及DOUBLE PLUSE脉冲电路电性连接。
[0014]采用上述技术方案，本技术提供的一种半导体驱动HVIC，具有以下有益效果：该半导体驱动HVIC中的互锁电路分别与高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接，通过使能电路中的使能引脚EN1选择控制高侧驱动电路中的脉冲电路输出脉冲信号，进而控制高压DMOS管的开通和关断，使得输入信号能够进行低压区与高压区之间的稳定过渡，以提高该半导体驱动HVIC的应用性及其可靠性。
附图说明
[0015]图1为本技术的结构框图；
[0016]图2为本技术的电路原理图；
[0017]图3为本技术中脉冲发生电路的电路原理图；
[0018]图4为本技术中ONESHOT脉冲电路的脉冲时序图；
[0019]图5为本技术中DOUBLE PLUSE脉冲电路的脉冲时序图；
[0020]图6为本技术采用ONESHOT脉冲电路控制驱动DMOS管UQ1、DMOS管UQ2的开通和关断的具体逻辑关系时序图；
[0021]图7为本技术采用DOUBLE PLUSE脉冲电路控制驱动DMOS管UQ1、DMOS管UQ2的开通和关断的具体逻辑关系时序图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限
制。
[0024]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0025]如图1
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图3所示，该半导体驱动HVIC0001包括电源电路、保护电路、报错电路、高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，该保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体驱动HVIC，包括电源电路、保护电路及报错电路，所述保护电路分别与电源电路及报错电路电性连接，其特征在于：还包括高侧驱动电路、互锁电路、低侧驱动电路及使能电路，所述互锁电路分别与所述高侧驱动电路及低侧驱动电路电性连接，所述使能电路分别与高侧驱动电路、保护电路、报错电路及低侧驱动电路电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体驱动HVIC，其特征在于：所述高侧驱动电路包括自举电路、高侧欠压保护电路及脉冲电路，所述脉冲电路分别与所述使能电路、自举电路、高侧欠压保护电路及互锁电路电性连接。3.根据权利要求2所述的半导体驱动HVIC，其特征在于：还包括信号输入电路、低压
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高压过渡电路、低压保护电路、误动作防止电路及信号输出电路，所述互锁电路分别与信号输入电路及脉冲电路电性连接，所述低压
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高压过渡电路及信号输出电路均分别与所述脉冲电路、低压保护电路及误动作防止电路电性连接。4.根据权利要求2所述的半导体驱动HVIC，其特征在于：所述脉冲电路包括脉冲选择电路及脉冲发生电路，所述脉冲选择电路由两个三...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：