一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板，包括第一陶瓷、第二陶瓷，第一陶瓷上用半导体制程和电镀制程在正面上做成二个单元以上的第一环状线路，在第一环状线路的内部做出符合半导体芯片的封装线路，第二陶瓷做出比所述第一陶瓷的第一环状线路直径较小的裸空形状，做出和第一陶瓷表面单元一样的第二环状线路，第二陶瓷的第二环状线路上用半导体制程和电镀制程的方式镀上可焊接的金属，第一陶瓷的第一环状线路和所述第二陶瓷的第二环状线路相接触,一起放入真空共晶炉烧结成一体。本实用新型专利技术陶瓷之间热膨胀系数一样，不会产生剥离现像。产生剥离现像。产生剥离现像。

【技术实现步骤摘要】
一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板


[0001]本技术涉及线路板
，具体为一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板。

技术介绍

[0002]目前用铜电镀的方式在陶瓷上长围坝其缺点，铜的热膨胀系数和陶瓷的热膨胀系数差距很大，在冷热交替下，容易剥离，在氮化铝正面长围坝，背面长线路，厚度差太大，容易翘曲变行，在铜围坝上做窗口片钎焊时，因翘曲无法做气密结合,陶瓷线路和半导体芯片焊接时,空洞变大，无法紧密接触。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供以下的技术方案：
[0004]本技术提供了一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板，
[0005]包括第一陶瓷、第二陶瓷，
[0006]所述第一陶瓷上用半导体制程和电镀制程在正面上做成二个以上的第一环状线路，在所述第一环状线路的内部做出封装线路，
[0007]所述第一陶瓷的背面设置有焊盘，在所述封装线路的芯片正负极的位置上钻孔并填充导电材料与所述第一陶瓷背面上的焊盘导通，
[0008]所述第二陶瓷做出比所述第一陶瓷的第一环状线路直径较小的裸空形状，做出和所述第一陶瓷表面单元一样的第二环状线路，
[0009]所述第二陶瓷的第二环状线路上用半导体制程和电镀制程的方式镀上可焊接的金属，
[0010]所述第一陶瓷的第一环状线路和所述第二陶瓷的第二环状线路相接触, 一起放入真空共晶炉烧结成一体。
[0011]优选的，所述第一陶瓷和所述第二陶瓷的材料为氧化铝和/或氮化铝。
[0012]优选的，所述第一陶瓷上的第一环状线路均匀间隔设置，所述第二陶瓷上的第二环状线路均匀间隔设置。
[0013]优选的，所述第一陶瓷、第二陶瓷大小材质相同。
[0014]优选的，采用所述半导体制程在所述可焊接的金属镀上钛，在钛上镀铜, 再用电镀制程方式在所述铜的表面镀上厚铜、在厚铜上镀银，或在厚铜上镀镍，在镍上镀钯,或者在镍上镀金。
[0015]优选的，所述真空共晶炉内填充有氮气，所述真空共晶炉内通入的氧化还原气体设置为氢气。
[0016]优选的，所述第一环状线路、第二环状线路形状设置为圆形和/或方形。
[0017]优选的，所述半导体制程设置为真空溅镀。
[0018]本技术有益效果
[0019]本技术陶瓷之间热膨胀系数一样，不会产生剥离现像，陶瓷在做线路之前，可
用机械方法将翘曲度，平行度，粗糙度度做小，在做窗口片焊接陶瓷围坝，能保持气密，空洞非常低，陶瓷线路和半导体芯片焊接时,空洞非常低。
附图说明
[0020]图1为第一陶瓷、第二陶瓷相装配结构示意图
[0021]图2为第一陶瓷环状线路及在环状线路内部做出符合半导体芯片的封装线路。
[0022]图3为第二陶瓷环状线路及裸空示意图。
[0023]附图标记说明：1
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第一陶瓷，2
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第一环状线路，3
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第二陶瓷，4
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第二环状线路。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术的实施例中的附图，对本技术的实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]实施例
[0026]如图1
‑
图3所示，本技术提供了一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板，
[0027]包括第一陶瓷1、第二陶瓷3，
[0028]所述第一陶瓷1上用半导体制程和电镀制程在正面上做成二个以上的第一环状线路2，在所述第一环状线路2的内部做出符合半导体芯片的封装线路，
[0029]所述第一陶瓷1的背面设置有焊盘，在所述封装线路的芯片正负极的位置上钻孔并填充导电材料与所述第一陶瓷1背面上的焊盘导通，
[0030]所述第二陶瓷3做出比所述第一陶瓷1的第一环状线路2直径较小的裸空形状，做出和所述第一陶瓷1表面单元一样的第二环状线路4，
[0031]所述第二陶瓷3的第二环状线路4上用半导体制程和电镀制程的方式镀上可焊接的金属，
[0032]所述第一陶瓷1的第一环状线路2和所述第二陶瓷3的第二环状线路4 相接触,一起放入真空共晶炉烧结成一体，在烧结过程中，在真空共晶炉内填充氮气，防止氧化物产生，减少氧化；真空共晶炉内通入的氧化还原气体设置为氢气，氢气的还原功能，对工件进行氢气还原，把氧化物去除，达到良好的焊接效果；
[0033]本技术陶瓷之间热膨胀系数一样，不会产生剥离现像，陶瓷在做线路之前，可用机械方法将翘曲度，平行度，粗糙度度做小，在做窗口片焊接陶瓷围坝，能保持气密，空洞非常低，陶瓷线路和半导体芯片焊接时,空洞非常低；
[0034]所述第一陶瓷1、第二陶瓷3大小材质相同，在本实施例中，所述第一陶瓷1和所述第二陶瓷3的材料均采用氧化铝，氧化铝具备耐高温，硬度高的特性；
[0035]所述第一陶瓷1上的第一环状线路2均匀间隔设置，所述第二陶瓷3上的第二环状线路4均匀间隔设置，间隔设置一方面便于整体的美观性，另一方面防止相互抵触；
[0036]在本实施例中，在所述可焊接的金属镀上钛，在钛上镀铜,在用电镀制程方式在所述铜的表面镀上厚铜、在厚铜上镀银，利用电镀的方式形成凹杯，可在凹杯内做半导体芯片封装；
[0037]在本实施例中，所述第一环状线路2、第二环状线路4形状设置为方形，方形便于增大实用面积；
[0038]所述半导体制程设置为真空溅镀。
[0039]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板，其特征在于，包括第一陶瓷(1)、第二陶瓷(3)，所述第一陶瓷(1)上用半导体制程和电镀制程在正面上做成二个以上的第一环状线路(2)，在所述第一环状线路(2)的内部做出封装线路，所述第一陶瓷(1)的背面设置有焊盘，在所述封装线路的芯片正负极的位置上钻孔并填充导电材料与所述第一陶瓷(1)背面上的焊盘导通，所述第二陶瓷(3)做出比所述第一陶瓷(1)的第一环状线路(2)直径较小的裸空形状，做出和所述第一陶瓷(1)表面单元一样的第二环状线路(4)，所述第二陶瓷(3)的第二环状线路(4)上用半导体制程和电镀制程的方式镀上可焊接的金属，所述第一陶瓷(1)的第一环状线路(2)和所述第二陶瓷(3)的第二环状线路(4)相接触,一起放入真空共晶炉烧结成一体。2.根据权利要求1所述的一种钎焊有裸空结构的陶瓷线路板，其特征在于，所述第一陶瓷(1)上的第一环状线路(2)均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宇文，詹勳县，孙昊，
申请(专利权)人：江西昊光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：