一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

技术编号:33090303 阅读:31 留言:0更新日期:2022-04-15 11:02
本发明专利技术涉及蚀刻装置技术领域,具体为一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置,包括底座,所述底座顶部设有水箱、放置台、热风发生器、加热箱和蚀刻仓,所述水箱顶部设有进液管,所述进液管与所述箱体内部相通,所述进液管上设有第一密封阀,所述水箱顶部设有水泵,所述水泵一端与抽水管一端连接,所述抽水管另一端伸入所述水箱内部,所述水泵另一端与出水管一端连接,所述出水管另一端与雾化喷头一端连接,所述放置台上开设有放置槽,所述放置台顶部一侧与支柱一端连接,所述支柱另一端与所述出水管连接,所述热风发生器上设有出气管,本发明专利技术一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置,解决了目前设备不方便清洗和烘干效果差的问题。目前设备不方便清洗和烘干效果差的问题。目前设备不方便清洗和烘干效果差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置


[0001]本专利技术涉及蚀刻装置
,具体为一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置。

技术介绍

[0002]众所周知,随着科技的发展,蚀刻技术也随着出现,蚀刻技术的出现给人们带来了很大的便利,蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。
[0003]现有的设备在使用时,不方便清洗需要蚀刻的基材,设备的烘干效果差,会影响设备加工的效果。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种操作方便的CVD蚀刻方法和蚀刻装置,解决了目前设备不方便清洗和烘干效果差的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种操作方便的CVD蚀刻装置,包括底座,所述底座顶部设有水箱、放置台、热风发生器、加热箱和蚀刻仓,所述水箱顶部设有进液管,所述进液管与所述水箱内部相通,所述进液管上设有第一密封阀,所述水箱顶部设有水泵,所述水泵一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作方便的CVD蚀刻装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)顶部设有水箱(2)、放置台(10)、热风发生器(12)、加热箱(14)和蚀刻仓(33),所述水箱(2)顶部设有进液管(3),所述进液管(3)与所述水箱(2)内部相通,所述进液管(3)上设有第一密封阀(4),所述水箱(2)顶部设有水泵(5),所述水泵(5)一端与抽水管(6)一端连接,所述抽水管(6)另一端伸入所述水箱(2)内部,所述水泵(5)另一端与出水管(7)一端连接,所述出水管(7)另一端与雾化喷头(8)一端连接,所述放置台(10)上开设有放置槽(11),所述放置台(10)顶部一侧与支柱(9)一端连接,所述支柱(9)另一端与所述出水管(7)连接,所述热风发生器(12)上设有出气管(13),所述出气管(13)一端设置在所述热风发生器(12)上,所述出气管(13)另一端连通所述加热箱(14),所述加热箱(14)正面铰接有第一开关门(15),所述第一开关门(15)上设有第一门锁(16),所述加热箱(14)上设有吹风机构(24),所述吹风机构(24)包括电机(25)和风扇(26),所述电机(25)输出端与所述风扇(26)连接,所述吹风机构(24)设有两个且对称设置,所述加热箱(14)内部一端与第一连接块(20)一端连接,所述第一连接块(20)另一端与沥水网(22)一端连接,所述沥水网(22)另一端与第二连接块(21)一端连接,所述第二连接块(21)另一端与所述加热箱(14)内部另一端连接,所述沥水网(22)上设有若干网眼(23),所述网眼(23)贯穿于所述沥水网(22),所述加热箱(14)内部设有回收箱(27),所述回收箱(27)顶部设有开口(32),所述开口(32)与所述回收箱(27)内部相通,所述加热箱(14)内部设有限位机构(28),所述蚀刻仓(33)正面铰接有第二开关门(34),所述第二开关门(34)上设有第二门锁(35)。2.根据权利要求1所述的一种操作方便的CVD蚀刻装置,其特征在于:所述限位机构(28)包括弹簧(29)、按压块(30)和辅助杆(31),所述弹簧(29)一端与所述加热箱(14)内部一端连接,所述弹簧(29)另一端与所述按压块(30)一端连接,所述按压块(30)上设有辅助杆(31),所述限位机构(28)设有若干个,若干个所述限位机构(28)对称设置在所述加热箱(14)内部两侧。3.根据权利要求2所述的一种操作方便的CVD蚀刻装置,其特征在于:所述第一开关门(15)四周设有密封圈(17)。4.根据权利要求3所述的一种操作方便的CVD蚀刻装置,其特征在于:所述第二开关门(34)上嵌入观察窗(37)。5.根据权利要求4所述的一种操作方便的CVD蚀刻装置,其特征在于:所述加热箱(14)顶部一侧设有排气管(18),所述排气管(18)与所述加热箱(14)内部相通,所述排气管(18)上设有第二密封阀(19)。6.根据权利要求5所述的一种操作方便的CVD蚀刻装置,其特征在于:所述底座(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟兴进何淑英罗长诚
申请(专利权)人:广州市鸿浩光电半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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