【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质
[0001]本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质。
技术介绍
[0002]随着半导体器件的缩放，推进了加工尺寸的微细化、工艺的复杂化。为了进行微细且复杂的加工，需要多次重复进行高精度的图案形成工序，使得半导体器件制造的成本增加。近年来，选择生长作为能够实现高精度且低成本的方法而受到关注。选择生长是指如下的技术：选择性地使膜在基板表面露出的两种以上的基底中的所需的基底的表面上生长来进行成膜的技术(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013－243193号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，如果选择生长持续进行，则有可能导致在两种以上的基底中的所需的基底以外的基底的表面上也进行局部性的成膜而导致选择性降低。
[0008]本公开的目的在于，提供一种使选择生长的选择性提高的技术。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)包括非同时地进行以下工序：(a1)对所述基板供给所述第一改性剂的工序；以及(a2)对所述基板供给所述第二改性剂的工序。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)包括依次进行(a1)、(a2)。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)还包括：(a3)对所述基板供给含有氧和氢的物质的工序，并包括依次进行(a1)、(a3)、(a2)。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂吸附于所述第一基底的表面，在(a3)中，将在所述第一基底的表面吸附的所述第一改性剂的一部分的所述第一官能团置换为羟基，在(a2)中，使所述第二改性剂吸附于所述羟基。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂的一部分以包含至少一个所述第一官能团的状态吸附于所述第一基底的表面。7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂以包含所述第二官能团的状态吸附于所述第一基底的表面，在(a2)中，使所述第二改性剂以包含所述第二官能团的状态吸附于所述羟基。8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，利用存在于所述第一基底的表面且相邻的两个羟基与一个分子的所述第一改性剂的反应，使所述第一改性剂的一部分吸附于所述第一基底的表面。9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a)中，重复多次(a1)和(a3)，或者重复多次(a1)、(a3)和(a2)。10.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a3)中，对所述基板供给H2O气体作为所述含有氧和氢的物质。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量为2，所述第二改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量为1。
12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一改性剂和第二改性剂都具有包含4价的原子的结构，该4价的原子直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团。13.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫田翔马，中谷公彦，早稻田崇之，中川崇，出贝求，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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