半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽；将所述衬底放入SACVD设备中，采用SACVD工艺形成膜层结构于所述沟槽的底壁和侧壁上，所述膜层结构包括依次形成的成核层、第一氧化物层和第二氧化物层；其中，所述SACVD设备包括用于通入反应气体的进气莲蓬头以及用于承载和加热所述衬底的加热盘，所述进气莲蓬头与所述加热盘相对设置；控制所述进气莲蓬头的温度，以降低所述膜层结构表面形成葡萄球状颗粒的频率。本发明专利技术的技术方案能够有效降低膜层结构表面形成葡萄球状颗粒的频率。颗粒的频率。颗粒的频率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor，MOS）器件以其价格低廉、技术成熟、开关速度快以及驱动简单等诸多优点被广泛应用在便携电子设备、汽车电子、工业控制以及照明等领域。次大气压化学气相沉积（SACVD）方法在高深宽比工艺（HARP）中良好的沟槽填充能力，被广泛应用于55nm及以下制程中，且对于SGT（屏蔽栅沟槽） MOS的高深宽比（>8:1）沟槽也同样适用。
[0003]但是，量产过程中，采用SACVD方法进行沟槽填充存在如下问题：如图1所示，衬底11中的沟槽12的侧壁和底壁以及衬底11的顶面沉积膜层13后，膜层13表面会形成图2所示的葡萄球状颗粒D1，位于沟槽内的葡萄球状颗粒D1在后续工艺步骤中无法从沟槽中去除，严重影响产品的良率；因此，需要对SACVD方法进行沟槽填充的工艺进行改进，以避免形成葡萄球状颗粒，进而提升产品良率是目前亟需解决的问题。
专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽；将所述衬底放入SACVD设备中，采用SACVD工艺形成膜层结构于所述沟槽的底壁和侧壁上，所述膜层结构包括依次形成的成核层、第一氧化物层和第二氧化物层；其中，所述SACVD设备包括用于通入反应气体的进气莲蓬头以及用于承载和加热所述衬底的加热盘，所述进气莲蓬头与所述加热盘相对设置；控制所述进气莲蓬头的温度，以降低所述膜层结构表面形成葡萄球状颗粒的频率。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，控制所述进气莲蓬头与所述加热盘之间的距离，以控制所述进气莲蓬头的温度。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一氧化物层和所述第二氧化物层时，控制所述进气莲蓬头与所述加热盘之间的距离减小50mil~100mil。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹衎，石慧明，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：