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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽；将所述衬底放入SACVD设备中，采用SACVD工艺形成膜层结构于所述沟槽的底壁和侧壁上，所述膜层结构包括依次形成的成核层、第一氧化物层和...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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