半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩模层，依次刻蚀所述掩模层及所述衬底以形成若干沟槽；在所述沟槽的内壁形成介质层；在所述沟槽内填充第一氧化层；刻蚀所述介质层和所述第一氧化层的部分厚度及所述掩模层，刻蚀后所述第一氧化层的顶部高于所述衬底的表面；继续刻蚀所述介质层的部分厚度，刻蚀后所述介质层的顶部低于所述衬底的表面；以及，顺形在所述衬底、所述介质层和所述第一氧化层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层构成场板，本发明专利技术提高了半导体器件的耐压能力。发明专利技术提高了半导体器件的耐压能力。发明专利技术提高了半导体器件的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]LDMOS（横向扩散金属
‑
氧化物
‑
半导体器件）器件是BCD电路中的核心所在，随着击穿电压要求的提高，对LDMOS器件中场板有着越来越高的要求，场板可以降低器件的表面电场。
[0003]图1为一种LDMOS器件，图2为另一种LDMOS器件，请参考图1和图2，其中图1中的LDMOS器件的耐压低于图2中的LDMOS器件的耐压，图1中的LDMOS器件的耐压约为12V~30V，图2中的LDMOS器件的耐压约为36V~60V。图1中的LDMOS器件包括场氧化层10、栅极结构20、源区30和漏区40等，图2中的LDMOS器件包括场氧化层11、浅沟槽氧化层12、栅极结构21、源区31和漏区41等，从图1和图2中可以看出，当器件的耐压有较高要求时，除了具有常规的场氧化层外，会结合浅沟槽氧化层一起作为场板来降低器件的表面电场。
[0004]不过在结合场氧化层和浅沟槽氧化层时，在场氧化层和浅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩模层，依次刻蚀所述掩模层及所述衬底以形成若干沟槽；在所述沟槽的内壁形成介质层；在所述沟槽内填充第一氧化层；刻蚀所述介质层和所述第一氧化层的部分厚度及所述掩模层，刻蚀后所述第一氧化层的顶部高于所述衬底的表面；继续刻蚀所述介质层的部分厚度，刻蚀后所述介质层的顶部低于所述衬底的表面；以及，顺形在所述衬底、所述介质层和所述第一氧化层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层构成场板。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第一氧化层、所述掩模层及所述介质层。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂为磷酸，所述磷酸的温度大于120℃。4.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，继续刻蚀所述介质层的部分厚度之后，所述介质层的顶部与所述衬底的表面的高度差为30
Å
~100
Å
。5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荷莉，于绍欣，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：