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本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质，即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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