用于多晶硅化学机械抛光的组合物及方法技术

用于抛光具有多晶硅层的基板的化学机械抛光组合物，该组合物包含基于水的液体载剂、氧化硅研磨剂、含氨基酸或胍衍生物的多晶硅抛光促进剂、及碱金属盐。该组合物包含小于约500ppm的四烷基铵盐且具有约10至约11的范围内的pH。内的pH。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多晶硅化学机械抛光的组合物及方法

技术介绍

[0001]化学机械抛光为集成电路(IC)及微电机系统(MEMS)制造中的关键促成(赋能，enabling)技术。用于抛光(或平坦化)基板(诸如晶片)的表面的CMP组合物及方法是本领域中熟知的。抛光组合物(亦称作抛光浆液、CMP浆液及CMP组合物)通常包含悬浮(分散)于水性溶液中的研磨剂颗粒及化学添加剂，诸如用于在CMP操作期间提高材料移除速率的促进剂。
[0002]多结晶体硅(polycrystalline silicon)(本领域中亦称作多晶硅(polysilicon)、poly
‑
Si或poly)膜广泛用于IC及MEMS装置。例如，多晶硅已长期用作金属氧化物半导体(MOS)及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中的栅极材料。多晶硅也通常用于IC器件中的各种镶嵌/互连应用以及MEMS装置中的结构组件。
[0003]可市面上购得的多晶硅CMP浆液通常包含提高多晶硅移除速率的氢氧化四甲基铵(TMAH)化学促进剂。虽然已知这样的浆液提供足够的多晶硅移除速率且原本可以是可用的，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于抛光含有多晶硅层的基板的化学机械抛光组合物，该组合物包含：基于水的液体载剂；约0.1至约3重量％的分散于该液体载剂中的氧化硅研磨剂颗粒；约0.05至约1重量％的多晶硅促进剂，该多晶硅促进剂选自氨基酸、胍衍生物及其混合物；碱金属盐；其中该组合物具有约10至约11的范围内的pH；且其中该组合物包含以重量计小于约500ppm的四烷基铵盐。2.权利要求1的组合物，包含约0.2至约1.5重量％的该氧化硅研磨剂颗粒。3.权利要求1的组合物，包含约0.1至约0.5重量％的该多晶硅促进剂。4.权利要求1的组合物，其中该多晶硅促进剂为精氨酸、三甲基甘氨酸、碳酸胍或其混合物。5.权利要求1的组合物，其中该多晶硅促进剂为胍衍生物。6.权利要求1的组合物，进一步包含约0.01至约0.5重量％的杂环胺。7.权利要求6的组合物，其中该杂环胺为三唑化合物。8.权利要求1的组合物，进一步包含约0.05至约0.5重量％的氨基膦酸化合物。9.权利要求8的组合物，其中该氨基膦酸化合物为氨基三亚甲基膦酸。10.权利要求1的组合物，进一步包含约0.01至约1重量％的钾盐。11.权利要求10的组合物，包含约0.03至约0.3重量％的碳酸氢钾。12.权利要求1的组合物，进一步包含：0.05至约0.5重量％的氨基三亚甲基膦酸；约0.03至约0.3重量％的碳酸氢钾；且其中该多晶硅促进剂为精氨酸。13.权利要求1的组合物，其中该组合物包含小于约10ppm的四烷基铵盐。14.化学机械抛光包含多晶硅材料的基板的方法，该方法包括：(a)提供多晶硅抛光组合物，其包含：基于水的液体载剂；约0.1至约3重量％的分散于该液体载剂中的氧化硅研磨剂颗粒；约0.05至约1重量％的多晶硅促进剂，该多晶硅促进剂选自氨基酸、胍衍生物及其混合物；碱金属盐；其中该组合物具有约10至约11的范围内的pH；且...

【专利技术属性】
技术研发人员：S布罗斯南，B赖斯，
申请(专利权)人：CMC材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：