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CMC材料股份有限公司专利技术
CMC材料股份有限公司共有29项专利
用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法技术
本发明涉及用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法。具体地说,本发明提供用于在化学机械抛光之后从半导体晶片清洁污染物的组合物。该清洁组合物含有一种或多种氢氧化季铵、一种或多种有机胺、一种或多种金属抑制剂、以及水。本发明还提供...
具有阳离子型表面活性剂的加工钨的浆料制造技术
本发明涉及具有阳离子型表面活性剂的加工钨的浆料。具体地说,本发明描述了用于对含有钨的基板的表面进行平面化的化学机械抛光组合物以及所述组合物的使用方法,所述组合物含有氧化硅研磨剂颗粒及阳离子型表面活性剂。含有氧化硅研磨剂颗粒及阳离子型表面...
用于化学机械抛光垫的能够UV固化的树脂制造技术
本发明提供用于形成化学机械抛光垫的能够UV固化的树脂,其包含:(a)一种或多种经丙烯酸酯封闭的异氰酸酯;(b)一种或多种丙烯酸酯单体;及(c)光引发剂。本发明还提供使用该能够UV固化的树脂形成化学机械抛光垫的方法。UV固化的树脂形成化学...
腐蚀抑制剂以及相关的组合物及方法技术
本发明涉及腐蚀抑制剂以及相关的组合物及方法。具体地说,本发明提供抑制含有金属的基板的腐蚀的方法。该基板可呈任何适合的形式。在一些实施方式中,该金属为钴。在一些实施方式中,所述方法可用于半导体晶片。本发明还提供抛光基板的化学机械抛光组合物...
用于基于碳的膜的选择性抛光的基于氧化硅的浆料制造技术
本发明提供一种化学机械抛光组合物,其包含:(a)氧化硅研磨剂、(b)表面活性剂、(c)铁阳离子、(d)任选地配体、及(e)水,其中该氧化硅研磨剂在该化学机械抛光组合物中具有负ζ电位。本发明还提供一种使用所述组合物来化学机械地抛光基板、尤...
包含阴离子型及阳离子型抑制剂的化学机械抛光组合物制造技术
用于抛光钨或钼的化学机械抛光组合物,其包含以下组分、基本上由以下组分组成、或由以下组分组成:基于水的液体载剂;分散于该液体载剂中的研磨剂颗粒;选自精氨酸、组氨酸、半胱氨酸、赖氨酸及其混合物的氨基酸;阴离子型聚合物或阴离子型表面活性剂;及...
含二氧化钛的钌化学机械抛光浆料制造技术
用于抛光含钌基板的化学机械抛光组合物,其包含以下、由以下组成、或基本上由以下组成:基于水的液体载剂;分散于该液体载剂中的钛氧化物颗粒,该钛氧化物颗粒包括金红石及锐钛矿,使得该钛氧化物颗粒的x射线衍射图样具有大于约0.05的X:Y比率,其...
具有固体聚合物电解质的二次电池单元制造技术
二次电池单元,包括第一电极材料的阴极、第二电极材料的阳极及安置于该阴极与阳极之间的固体聚合物电解质层。该固体聚合物电解质包括与该阴极接触的第一表面以及与该阳极接触的第二表面。该固体聚合物电解质层包括纤维素聚合物基质。该纤维素聚合物基质包...
固体聚合物电解质组合物及其制备方法技术
固体聚合物电解质前体组合物,包括:(i)一种或多种有机溶剂;(ii)溶解于该有机溶剂中的一种或多种纤维素聚合物;(iii)溶解或分散于该有机溶剂中的一种或多种聚合性组分;(iv)溶解或分散于该有机溶剂中的一种或多种光引发剂,其中该一种或...
含新型研磨剂的化学机械抛光组合物制造技术
化学机械抛光组合物包括液体载剂及分散于该液体载剂中的胶体二氧化硅颗粒。该胶体二氧化硅颗粒在该液体载剂中具有至少10mV的正电荷,且可表征为具有:(i)大于约1.25的数均纵横比及(ii)大于约0.42的按重量计的归一化粒度跨度。该抛光组...
经衍生的聚氨基酸制造技术
组合物,其包含包括经衍生的氨基酸单体单元的聚合物、由包括经衍生的氨基酸单体单元的聚合物组成、或基本上由包括经衍生的氨基酸单体单元的聚合物组成。包括以下的化学机械抛光组合物:基于水的液体载剂;分散于该液体载剂中的研磨剂颗粒;以及具有经衍生...
用于介电质化学机械抛光的组合物及方法技术
用于抛光具有硅氧材料的基板的化学机械抛光组合物,其包含以下、由以下组成或基本上由以下组成:液体载剂;立方形铈土研磨剂颗粒,其分散于该液体载剂中;及具有小于约6meq/g的电荷密度的阳离子聚合物。电荷密度的阳离子聚合物。电荷密度的阳离子聚...
具有针对硅氮化物和多晶硅相对于硅氧化物的高选择性的抛光组合物及方法技术
本发明提供化学机械抛光组合物,其包含:(a)包含铈土颗粒的研磨剂,(b)阳离子聚合物,其选自阳离子均聚物、包含至少一种阳离子单体及至少一种非离子单体的阳离子共聚物、及其组合,(c)季铵盐或季盐,及(d)水,其中该抛光组合物具有约5至约8...
用于选择性化学机械抛光氧化物的组合物及方法技术
用于抛光具有硅氧材料的基板的化学机械抛光组合物,其包括:液体载剂;分散于该液体载剂中的立方形铈土研磨剂颗粒;以及,阴离子化合物和非离子化合物中的至少一者。合物和非离子化合物中的至少一者。合物和非离子化合物中的至少一者。
用于介电质化学机械抛光的组合物及方法技术
用于抛光具有硅氧材料的基板的化学机械抛光组合物,其包含以下、由以下组成或基本上由以下组成:液体载剂;立方形铈土研磨剂颗粒,其分散于该液体载剂中;及阳离子聚合物,其具有大于约6meq/g的电荷密度。有大于约6meq/g的电荷密度。有大于约...
用于硅氧化物和碳掺杂的硅氧化物的化学机械抛光的组合物及方法技术
用于抛光具有硅氧材料的基板的化学机械抛光组合物,其包括:液体载剂;立方形铈土研磨剂颗粒,其分散于该液体载剂中;及有机二元酸。及有机二元酸。及有机二元酸。
自停止性的抛光组合物及方法技术
用于抛光具有硅氧材料的基板的化学机械抛光组合物,其包含以下、由以下组成或基本上由以下组成:液体载剂;立方形铈土研磨剂颗粒,其分散于该液体载剂中;自停止剂;及阳离子聚合物。合物。合物。
采用多胺及环己烷二甲醇固化剂的抛光垫制造技术
一种包含热固性聚氨酯抛光层的化学机械抛光垫,该热固性聚氨酯抛光层包括异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物、多胺固化剂及环己烷二甲醇固化剂。多胺固化剂及环己烷二甲醇固化剂的多胺固化剂对环己烷二甲醇固化剂的摩尔比率在约20:1至约1:1的范围内。...
用于多晶硅化学机械抛光的组合物及方法技术
用于抛光具有多晶硅层的基板的化学机械抛光组合物,该组合物包含基于水的液体载剂、氧化硅研磨剂、含氨基酸或胍衍生物的多晶硅抛光促进剂、及碱金属盐。该组合物包含小于约500ppm的四烷基铵盐且具有约10至约11的范围内的pH。内的pH。
在主体钨浆料中提高阻挡膜移除速率的方法技术
本发明涉及化学机械抛光组合物,其包含:(a)第一研磨剂,其包含阳离子改性的胶体二氧化硅颗粒,(b)第二研磨剂,其具有约5.5或更高的莫氏硬度,(c)阳离子聚合物,(d)含铁活化剂,(e)氧化剂,及(f)水。本发明还涉及使用该抛光组合物化...
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