化学机械抛光组合物、清洗组合物、化学机械抛光方法和清洗方法技术

提供：一种化学机械抛光组合物，其包含研磨剂，碱性组分，选自季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物的至少一种化合物，以及水性载体；包含所述至少一种化合物和水性载体的清洗组合物；以及使用所述组合物且用于基材的化学机械抛光方法和清洗方法。和清洗方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学机械抛光组合物、清洗组合物、化学机械抛光方法和清洗方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光组合物及清洗组合物、以及使用这些组合物的基材的化学机械抛光方法和清洗方法。

技术介绍

[0002]半导体器件制造中所使用的基材例如硅晶片具有严格的表面品质要求。为了确保此种表面品质，常规地一直利用化学机械抛光(CMP)技术。通常，基材例如硅晶片的CMP由多个步骤组成，并且包括例如预抛光步骤及精抛光(finish polishing)步骤。
[0003]在预抛光步骤中，通过使用抛光力相对较强的抛光浆料对基材的表面进行抛光，能够高效地准备基材的形状或表面状态。另一方面，在精抛光步骤中，通常使用与预抛光步骤相比抛光力较弱的抛光浆料改善预抛光步骤后的基材的表面品质。
[0004]为了识别等目的，有时可通过对基材例如硅晶片的表面照射激光光束来向所述基材赋予标记(硬激光标记)例如条形码、数字和符号。由于激光光束的能量，硬激光标记的周缘(fringe)因变质(alteration)例如多晶硅化而变硬，因此当使用常规的普通的抛光组合物时，在预抛光步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.化学机械抛光组合物，其包含：研磨剂；碱性组分；选自季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物的至少一种化合物；以及水性载体。2.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中所述至少一种化合物包含季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物中的两种或更多种。3.如权利要求1或2所述的化学机械抛光组合物，其中所述至少一种化合物包含季型多铵盐，其中所述季型多铵盐具有下述通式(1)：[化1]其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地为经取代或未经取代的直链或支链的碳数1～6的烷基基团，A独立地为经取代或未经取代的直链或支链的碳数1～30的亚烷基基团，n为1～10的整数，且X
‑
为抗衡离子。4.如权利要求3所述的化学机械抛光组合物，其中所述季型多铵盐为季型二铵盐，并且其中在通式(1)中，A为经取代或未经取代的直链或支链的碳数1～15的亚烷基基团，且n为1。5.如权利要求1或2所述的化学机械抛光组合物，其中所述至少一种化合物包含碳数为6以上的季铵盐，其中所述碳数为6以上的季铵盐具有下述通式(2)：[化2]其中，R7、R8及R9独立地为经取代或者未经取代的直链或者支链的碳数1～6的烷基基团、或者苄基基团，R
10
为经取代或未经取代的直链或支链的碳数2～30的烷基基团，且Y
‑
为抗衡离子。6.如权利要求1或2所述的化学机械抛光组合物，其中所述至少一种化合物包含具有酰胺结构的经烷基化的聚合物，其中所述具有酰胺结构的经烷基化的聚合物为经烷基化的聚乙烯吡咯烷酮。7.如权利要求1至6中任一项所述的化学机械抛光组合物，其进一步包含氢氧化四甲基铵。8.如权利要求1至7中任一项所述的化学机械抛光组合物，其进一步包含与所述具有酰胺结构的经烷基化的聚合物不同的水溶性聚合物。
9.如权利要求8所述的化学机械抛光组合物，其中所述水溶性聚合物包含选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯基乙酰胺、纤维素衍生物、和含有聚乙烯醇结构单元的聚合物的至少一种。10.清洗组合物，其包含：选自季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物的至少一种化合物；以及水性载体。11.如权利要求10所述的清洗组合物，其中所述至少一种化合物包含季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物中的两种或更多种。12.如权利要求10或11所述的清洗组合物，其中所述至少一种化合物包含季型多铵盐，其中所述季型多铵盐具有下述通式(1)：[化3]其中，R1、R2、R3、R4、R5及R6独立地为经取代或未经取代的直链或支链的碳数1～6的烷基基团，A独立地为经取代或未经...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村启，增田刚，松村义之，并木明久，齐藤健，
申请(专利权)人：CMC材料株式会社，
类型：发明
国别省市：