一种单模稳定的DFB激光器制造技术

本实用新型专利技术适用于激光器领域，提供了一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极、解理区下包层、解理区量子阱有源层、解理区上包层、解理区上电极及设置在所述解理区上包层内的均匀光栅结构。旨在解决现有技术中DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出的技术问题。的技术问题。的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种单模稳定的DFB激光器


[0001]本技术属于激光器领域，尤其涉及一种单模稳定的DFB激光器。

技术介绍

[0002]当前主流的DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出确定性。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种单模稳定的DFB激光器，旨在解决现有技术中DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出的技术问题。
[0004]本技术是这样实现的，一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括对称排布的左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极、解理区下包层、解理区量子阱有源层、解理区上包层、解理区上电极及设置在所述解理区上包层内的均匀光栅结构。
[0005]本技术的进一步技术方案是：所述左DFB与所述右DFB结构相同。
[0006]本技术的进一步技术方案是：所述右DFB包括由下到上依次设置且分别所述解理区下电极、所述解理区下包层、所述解理区量子阱有源层、所述解理区上包层及所述解理区上电极连接的下电极、下包层、量子阱有源层、上包层及上电极。
[0007]本技术的进一步技术方案是：所述右DFB还包括设置在所述上包层内的光栅结构。
[0008]本技术的进一步技术方案是：所述左DFB及所述右DFB的侧面设置有增透膜解理面。
[0009]本技术的有益效果是：此种DFB激光器让两个成对的DFB的高反端面相位落在互补位置，从而保证这一对DFB中能产出一个单模稳定的DFB激光器。
附图说明
[0010]图1是本技术实施例提供的一种单模稳定的DFB激光器的结构图。
具体实施方式
[0011]附图标记：1
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左DFB 2
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右DFB 3
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共用高反侧解理区4
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解理区下电极5
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解理区下包层6
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解理区量子阱有源层7
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解理区上包层8
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解理区上电极9
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均匀光栅结构10
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下电极11
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下包层12
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量子阱有源层13
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上包层14
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上电极15
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光栅结构16
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增透膜解理面
[0012]图1示出了本技术提供的一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括左
DFB1及右DFB2，及设置在所述左DFB1及所述右DFB2之间且连接所述左DFB1及所述右DFB2的共用高反侧解理区3，所述共用高反侧解理区3包括由下到上依次设置的解理区下电极4、解理区下包层5、解理区量子阱有源层6、解理区上包层7、解理区上电极8及设置在所述解理区上包层7内的均匀光栅结构9。让两个成对的DFB的高反面端面相位落在互补位置，即共用高反侧解理区3内，从而保证这一对DFB中能产出一个单模稳定的DFB激光器。
[0013]所述左DFB1与所述右DFB2结构相同，所述右DFB2包括由下到上依次设置且分别所述解理区下电极4、所述解理区下包层5、所述解理区量子阱有源层6、所述解理区上包层7及所述解理区上电极8连接的下电极10、下包层11、量子阱有源层12、上包层13及上电极14，所述右DFB2还包括设置在所述上包层13内的光栅结构15，所述左DFB1及所述右DFB2的侧面设置有增透膜解理面16。
[0014]DFB激光器的单模稳定性与高反面的端面相位密切相关，对于采用解理方法获取高反面端面相位的激光器而言，受解理位置无法精确控制，使DFB激光器的高反面端面相位呈随机分布，这导致DFB激光器的单模稳定性处于不确定状态，而本申请的技术方案则是通过背靠背的方式，将两个相同设计的DFB沿纵向中轴线对称拼接在一起，并在它们共用的高反面端面侧的解理区中，延伸排布均匀光栅结构9，形成共用高反侧解理区3，如此排布后，无论解理面的位置落在共用高反侧解理区3内哪一点，解理后的两个DFB的高反面的端面相位会始终处于互补位置，由此可以保证两者中必有一个DFB能落于单模稳定的相位区域，可以确保这一对DFB激光器中必能产出一个单模稳定的DFB激光器。
[0015]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单模稳定的DFB激光器，其特征在于：所述DFB激光器包括对称排布的左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极、解理区下包层、解理区量子阱有源层、解理区上包层、解理区上电极及设置在所述解理区上包层内的均匀光栅结构。2.根据权利要求1所述的DFB激光器，其特征在于，所述左DFB与所述右DFB结构相同。3.根据权利要求2所述的DF...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐涌波，
申请(专利权)人：深圳市斑岩光子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：