一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板及其制作方法，包括以下步骤：S1.制备好图形化的覆铜陶瓷模板；S2.使用高精度点胶机对陶瓷模板上的凹槽进行预填充；S3.使用菲林片对母板进行曝光胶连、烘烤固化并进行显影复烘；S4.对母板进行镀层处理，激光切割后得成品。本发明专利技术公开的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板及其制作方法采用预填充的方式将母板上的凹槽预填充不小于凹槽体积的80％，以此避免在后续芯片封装时由于凹槽存在，绝缘材料无法将凹槽填满致使高功率元件出现局部放电的问题，且本发明专利技术还通过对陶瓷覆铜母板预加热的方式进一步提升了预填充胶体在凹槽内的分散分布问题，在相关半导体领域有着广阔的应用空间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]覆铜陶瓷基板是一种广泛应用于半导体功率模块电子电路的陶瓷底板，是将陶瓷片与铜片直接键合(DCB)或使用焊料将陶瓷片与铜片连接起来的(AMB)复合陶瓷底板。
[0003]现有的封装工艺采用两枚覆铜陶瓷基板相对的立体设计，在实际封装中，需要将绝缘硅凝胶注射进立体模块中，以起到固定基板、避免污染和保护电路等作用。由于蚀刻表面金属图形化后的母板具有高度差，即陶瓷板和铜片图案间形成凹槽。在封装过程中硅凝胶不能完全填充进凹槽内，产生空洞，而空气的绝缘强度低，易导致芯片在工作过程中，尤其是高功率器件中易发生局部放电，使器件出现失效问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供了一种能避免在芯片封装过程中硅凝胶无法充分填充的覆铜陶瓷基板的制造方法。
[0005]本专利技术提供了一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，所述预填充绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板包括覆铜陶瓷母板，所述覆铜陶瓷母板一侧刻蚀有图形电路，所述图形电路之间通过绝缘胶体填充；所述覆铜陶瓷母板两侧镀有表面金属镀层，覆铜陶瓷母板图形电路一侧通过阻焊层与表面金属镀层连接；所述覆铜陶瓷母板包括陶瓷层，陶瓷层两侧自内而外依次对称设置有活性金属焊料层、铜层。2.根据权利要求1所述的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷层材质为Si3N4、AlN和Al2O3其中的一种或多种，厚度为0.1
‑
1.0mm。3.根据权利要求1所述的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述活性金属焊料层材料为Ti、Zr、Hf、Cr、V、Al中的一种或多种，厚度为0.001
‑
0.020mm。4.根据权利要求1所述的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述铜层材料为无氧铜，厚度为0.2
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1.4mm；所述阻焊层材料为阻焊油墨，厚度为5～50um，所述表面金属镀层材料为Au、Ag、Ni中的一种或多种；不同材料的镀层厚度为：Ni 2～9um，Au 0.01～0.2um，Ag 0.1～0.6um。5.根据权利要求1所述的一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述绝缘胶体为绝缘油墨、绝缘凝胶中的一种或多种。6.一种预填充绝缘材料的覆铜陶瓷基板的制作方法，包括以下步骤：S1.制备覆铜陶瓷母板，在陶瓷层上两侧涂覆活性金属焊料层，再在两侧焊接无氧铜，形成覆铜陶瓷母板，在覆铜陶瓷母版两侧覆感光膜，使用菲林片进行曝光显影，蚀刻出图形线路后，去除两侧的感光膜，此时图形电路之间有线路凹槽，使用激光或蚀刻液去除线路凹槽底部的活性金属焊料层，之后对覆铜陶瓷母板进行预加热；S2.对线路凹槽进行绝缘胶体填充，绝缘胶体填充体积不小于线路凹槽总容积的80％；S3.取S2处理后的覆铜陶瓷母板，使用特定图案的菲林片对绝缘填充后的母版进...

【专利技术属性】
技术研发人员：马敬伟，贺贤汉，周建华，于明洋，孙泉，窦正旭，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：