半导体电路制造技术

技术编号:33018543 阅读:10 留言:0更新日期:2022-04-15 08:51
本实用新型专利技术公开一种半导体电路,该半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的驱动模块、逆变模块和温度检测模块,所述驱动模块分别与所述逆变模块和温度检测模块电连接,所述驱动模块上具有与外部MCU电连接的电平输入端口,所述驱动模块通过所述电平输入端口输入的电平信号控制温度保护功能的启停,所述驱动模块根据所述温度检测模块反馈的温度信号控制温度保护功能的启停。本实用新型专利技术提供的半导体电路通过在驱动模块上设置电平输入端口,从而便于利用外部MCU发出的高低电平控制温度保护功能的启停,从而有利于人为控制保护功能的启停,也有利于在温度保护功能出现误触发后进行人工关闭。人工关闭。人工关闭。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本技术涉及半导体电路
,具体涉及一种半导体电路。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品,集成了智能控制IC和用于功率输出的绝缘栅双极型晶体管、MOSFET、FRD 等大功率器件及一些阻容元件,这些元器件通过锡基焊料焊接在铝基板上。
[0003]在应用半导体电路的变频空调、变频器等变频电器产品中,其PCB板上通常会增加设置与半导体电路电连接的温度检测电路和控制电路,通过控制电路根据温度检测模块反馈的半导体电路的温度来调控半导体电路的工作。但是,现有仅根据检测温度调控半导体电路工作的方式较为单一,并不能人为调控半导体电路工作。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种半导体电路,以解决
技术介绍
中提出的技术问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提出的半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的驱动模块、逆变模块和温度检测模块,所述驱动模块分别与所述逆变模块和温度检测模块电连接,所述驱动模块上具有与外部MCU电连接的电平输入端口,所述驱动模块通过所述电平输入端口输入的电平信号控制温度保护功能的启停,所述驱动模块根据所述温度检测模块反馈的温度信号控制温度保护功能的启停。
[0006]优选地,所述驱动模块具有VDD针脚、RCIN针脚、COM针脚、ITRIP 针脚、PFCTRIP针脚、VSS针脚、TH针脚、TF针脚、LO1针脚、LO2针脚、 LO3针脚、PFCOUT针脚、HO1针脚、VS1针脚、HO2针脚、VS2针脚、HO3 针脚和VS3针脚,所述VDD针脚、VSS针脚和TH针脚均与所述温度检测模块电连接,所述TF针脚为所述电平输入端口,所述LO1针脚、LO2针脚、 LO3针脚、VB1针脚、HO1针脚、VS1针脚、VB2针脚、HO2针脚、VS2 针脚、VB3针脚、HO3针脚和VS3针脚均与所述逆变模块电连接,所述COM 针脚与所述VSS针脚电连接。
[0007]优选地,所述温度检测模块包括第一电容、第一电阻、第二电阻和热敏电阻,所述VDD针脚分别与所述第一电容、第一电阻和第二电阻电连接,所述第一电容还与所述VSS针脚电连接,所述第一电阻还与TH针脚电连接以及通过所述热敏电阻与所述VSS针脚电连接,所述第二电阻还与RCIN针脚电连接。
[0008]优选地,所述温度检测模块还包括第二电容、第三电容和第四电容,所述RCIN针脚还通过所述第二电容与所述VSS针脚电连接,所述ITRIP针脚通过所述第三电容与所述VSS针脚电连接,所述PFCTRIP针脚通过所述第四电容与所述VSS针脚电连接。
[0009]优选地,所述半导体电路还包括与所述PFCOUT针脚电连接的PFC模块。
[0010]优选地,所述PFC模块包括绝缘栅双极型晶体管和二极管,所述绝缘栅双极型晶体管的G端与所述PFCOUT针脚电连接,所述绝缘栅双极型晶体管的C端与所述二极管的阴极电
连接。
[0011]优选地,所述驱动模块内部集成有电源单元、电源欠压保护单元、高侧驱动单元、报错/使能单元、过流保护单元、PFC过流保护单元、互锁与死区单元、低侧驱动单元、逻辑单元、PFC驱动单元和温度控制单元。
[0012]优选地,所述驱动模块还具有HIN1针脚、HIN2针脚、HIN3针脚、LIN1 针脚、LIN2针脚、LIN3针脚、PFCIN针脚、FLT针脚、VB1针脚、VB2针脚和VB3针脚,所述电源单元分别与所述VDD针脚、VSS针脚、电源欠压保护单元以及高侧驱动单元电连接,所述高侧驱动单元分别与所述VB1针脚、 VS1针脚、VB2针脚、VS2针脚、VB3针脚、VS3针脚、HIN1针脚、HIN2 针脚、HIN3针脚、HO1针脚、HO2针脚、HO3针脚电连接,所述报错/使能单元分别与所述FLT针脚和高侧驱动单元电连接,所述过流保护单元分别与所述ITRIP针脚和高侧驱动单元电连接,所述PFC过流保护单元分别与所述 PFCTRIP针脚和高侧驱动单元电连接,所述互锁与死区单元分别与所述高侧驱动单元和低侧驱动单元,所述低侧驱动单元分别与所述LO1针脚、LO2针脚、LO3针脚和高侧驱动单元电连接,所述逻辑单元分别与所述PFCIN针脚、高侧驱动单元和PFC驱动单元电连接,所述PFC驱动单元还与所述PFCOUT 电连接,所述温度控制单元分别与所述TH针脚、TF针脚和高侧驱动单元电连接。
[0013]优选地,所述驱动模块内部还集成有第五电容,所述过流保护单元通过所述第五电容与所述电源单元电连接。
[0014]优选地,所述驱动模块内部还集成有第六电容,所述PFC过流保护单元通过所述第六电容与所述电源单元电连接。
[0015]本技术实施例提供的半导体电路,通过在驱动模块上设置电平输入端口,从而便于利用外部MCU发出的高低电平控制温度保护功能的启停,从而有利于人为控制保护功能的启停,也有利于在温度保护功能出现误触发后进行人工关闭。
附图说明
[0016]图1为本技术中半导体电路一实施例的电路图;
[0017]图2为图1中所示驱动模块和温度检测模块的电路图;
[0018]图3为图1中所示PFC模块的电路图;
[0019]图4为图2中所示驱动模块的模块图。
[0020]附图标号说明
[0021][0022][0023]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0025]需要说明,本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后......)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
[0026]还需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时,它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0027]另外,在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本技术要求的保护范围之内。
[0028]本技术提到的半导体电路,是一种将功率开关器件和高压本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路,其特征在于,包括基板以及设置在所述基板上的驱动模块、逆变模块和温度检测模块,所述驱动模块分别与所述逆变模块和温度检测模块电连接,所述驱动模块上具有与外部MCU电连接的电平输入端口,所述驱动模块通过所述电平输入端口输入的电平信号控制温度保护功能的启停,所述驱动模块根据所述温度检测模块反馈的温度信号控制温度保护功能的启停。2.根据权利要求1所述的半导体电路,其特征在于,所述驱动模块具有VDD针脚、RCIN针脚、COM针脚、ITRIP针脚、PFCTRIP针脚、VSS针脚、TH针脚、TF针脚、LO1针脚、LO2针脚、LO3针脚、PFCOUT针脚、HO1针脚、VS1针脚、HO2针脚、VS2针脚、HO3针脚和VS3针脚,所述VDD针脚、VSS针脚和TH针脚均与所述温度检测模块电连接,所述TF针脚为所述电平输入端口,所述LO1针脚、LO2针脚、LO3针脚、VB1针脚、HO1针脚、VS1针脚、VB2针脚、HO2针脚、VS2针脚、VB3针脚、HO3针脚和VS3针脚均与所述逆变模块电连接,所述COM针脚与所述VSS针脚电连接。3.根据权利要求2所述的半导体电路,其特征在于,所述温度检测模块包括第一电容、第一电阻、第二电阻和热敏电阻,所述VDD针脚分别与所述第一电容、第一电阻和第二电阻电连接,所述第一电容还与所述VSS针脚电连接,所述第一电阻还与TH针脚电连接以及通过所述热敏电阻与所述VSS针脚电连接,所述第二电阻还与RCIN针脚电连接。4.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,所述温度检测模块还包括第二电容、第三电容和第四电容,所述RCIN针脚还通过所述第二电容与所述VSS针脚电连接,所述ITRIP针脚通过所述第三电容与所述VSS针脚电连接,所述PFCTRIP针脚通过所述第四电容与所述VSS针脚电连接。5.根据权利要求2所述的半导体电路,其特征在于,还包括与所述PFCOUT针脚电连接的PFC模块。6.根据权利要求5所述的半导体电路,其特征在于,所述PFC...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯宇翔
申请(专利权)人:广东汇芯半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

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