静电放电电路制造技术

一种静电放电电路，包括：第一晶体管，栅极与电源电压节点耦合，漏极与电源电压节点耦合，源极与接地电压节点耦合；第二晶体管，栅极与第一晶体管的漏极连接，源极与电源电压节点连接；第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管的栅极以及第四晶体管的栅极与第一晶体管的源极连接，第三晶体管的漏极与第四晶体管的漏极以及与第二晶体管的漏极连接，第四晶体管的源极与接地电压节点连接；第五晶体管，栅极与第三晶体管的源极以及第二晶体管的漏极连接，漏极与电源电压节点连接；第六晶体管，栅极与第三晶体管的漏极以及第四晶体管的漏极连接，漏极与第五晶体管的源极连接，且第六晶体管的源极与接地电压节点连接。所述静电放电电路的效率得到提升。率得到提升。率得到提升。

【技术实现步骤摘要】
静电放电电路


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种静电放电电路。

技术介绍

[0002]静电放电(Electro-Static discharge，简称ESD)是电子工业中需要长期提高技术水平的问题。
[0003]常见的静电放电模型包括：人体放电模型(Human Body Model，简称HBM)，即带电人体对器件放电，导致器件损坏；机器模型(Machine Model，简称MM)，即带电设备对器件放电，导致器件损坏；带电器件模型(Charged Device Model，简称CDM)，即带电器件直接对地放电。其中，带电器件模型的放电时间较快，小于10ns，因此需要较快速的静电放电保护电路来对静电现象做出迅速反应，从而及时泄放静电电流。
[0004]然而，现有的静电放电保护电路的响应时间较长，还需要提高静电放电保护电路的响应速度。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种静电放电电路，以提高静电放电保护电路的响应速度。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电电路，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与电源电压节点耦合，所述第一晶体管的漏极与电源电压节点耦合，所述第一晶体管的源极与接地电压节点耦合；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极与电源电压节点连接；第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极以及第四晶体管的栅极与第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与第四晶体管的漏极连接，且所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的源极与接地电压节点连接；第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与所述第三晶体管的源极以及第二晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的漏极与所述电源电压节点连接；第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极以及第四晶体管的漏极连接，所述第六晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极连接，且所述第六晶体管的源极与接地电压节点连接。2.如权利要求1所述的静电放电电路，其特征在于，所述第五晶体管的栅极还与电源电压节点耦合。3.如权利要求1所述的静电放电电路，其特征在于，还包括：第一电容器，所述第一电容器的一端与电源电压节点连接，所述第一电容器另一端与第一晶体管的栅极连接。4.如权利要求3所述的静电放电电路，其特征在于，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：