一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路制造技术

本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到所述串联的二极管的阴极，及其漏极具有电连接到第一限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极，及其栅极具有电连接到所述第二限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其源极具有电连接到所述第二限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到第一限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述串联的二极管的阳极。电连接到所述串联的二极管的阳极。电连接到所述串联的二极管的阳极。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路


[0001]本专利技术属于半导体器件及集成电路
，具体涉及一种基于Ⅲ族氮化物的新型静电放电(ESD)保护电路。

技术介绍

[0002]包含直接带隙半导体的组件(例如，包含
Ⅲ‑Ⅴ
族材料或
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物(类别：
Ⅲ‑Ⅴ
化合物)的半导体组件)可归因于其特性而在多种条件下或在多种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。
[0003]半导体组件可包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)或其类似者。

技术实现思路

[0004]本专利技术在提供了一种具有双向保护的能力，正向防护电压在6～10V之间，反向防护电压在
‑
2V，防护电压等级更高，且触发电压可控，漏电流更小更稳定，使芯片面积相对更小的新型的基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路。
[0005]本专利技术的技术方案为：一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路，如图1中的110所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路，其特征在于，包括第一Ⅲ族氮化物晶体管、第二Ⅲ族氮化物晶体管、二极管单元、第一限流电阻和第二限流电阻；其中，所述的二极管单元为N个二极管串联构成，二极管单元的阳极、第二Ⅲ族氮化物晶体管的漏极和第一限流电阻的一端构成电路的第一输入端，第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极和第二限流电阻的一端连接构成电路的第二输入端，其中第一输入端为正输入端，第二输入端为负输入端；第一Ⅲ族氮化物晶体管的漏极接第一限流电阻的另一端，第一Ⅲ族氮化物晶体管的栅极接二极管单元的负极，第一Ⅲ族氮化物晶体管的源极接第二电阻的另一端和第二Ⅲ族氮化物晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路，其特征在于，所述N是大于等于2的整数。3.根据权利要求2所述的一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路，其特征在于，所述二极管单元中二极管的阈值电压小于0.3V。4.根据权利要求1所述的一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周琦，邓超，周春华，王凯弟，熊琦，王守一，党其亮，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：