半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片，其中：所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连接所述封装体的集电极引脚；所述超级结MOSFET功率器件芯片的源极和栅极、以及所述IGBT功率器件芯片的发射极均电性连接所述封装体的发射极引脚；所述IGBT功率器件芯片的栅极电性连接所述封装体的栅极引脚。本实用新型专利技术可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。的正向导通损耗。的正向导通损耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件


[0001]本技术属于半导体功率器件
，特别是涉及一种IGBT功率器件。

技术介绍

[0002]IGBT功率器件因具有高输入阻抗、低控制功率、驱动电路简单、开关速度快、导通压降低、通态电流大、损耗小的优点，已渐渐成为电力电子技术的核心器件之一。然而，IGBT功率器件不像MOSFET功率器件那样拥有体二极管，在反向工作时，它只能等效于一个不能导通的开基极PNP晶体管，因此，这需要将IGBT功率器件和一个二极管反并联来续流，由于二极管的正向导通电压(Vf)较高，使得二极管的正向导通损耗较大。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的是提供一种半导体功率器件，以解决现有技术中的IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗大的问题。
[0004]为达到本技术的上述目的，本技术提供了一种半导体功率器件，包括：
[0005]封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片，其中：
[0006]所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连接所述封装体的集电极引脚；
[0007]所述超级结MOSFET功率器件芯片的源极和栅极、以及所述IGBT功率器件芯片的发射极均电性连接所述封装体的发射极引脚；
[0008]所述IGBT功率器件芯片的栅极电性连接所述封装体的栅极引脚。
[0009]可选的，所述超级结MOSFET功率器件芯片为平面栅结构的超级结功率晶体管。
[0010]可选的，所述超级结MOSFET功率器件芯片为沟槽栅结构的超级结功率晶体管。
[0011]本技术提供的一种半导体功率器件将超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片封装在同一个封装体内，将超级结MOSFET功率器件芯片的栅极电性连接到封装体的发射极电极上，用超级结MOSFET功率器件芯片作为IGBT功率器件芯片的反并联二极管，降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。
附图说明
[0012]为了更加清楚地说明本技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。
[0013]图1是本技术提供的一种半导体功率器件中的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片封装在同一个封装体内的一个实施例的内部结构示意图。
具体实施方式
[0014]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本技术实施
例中的附图，通过具体方式，完整地描述本技术的技术方案。
[0015]图1是本技术提供的一种半导体功率器件中的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片封装在同一个封装体内的一个实施例的内部结构示意图，图1中仅示例性的示出了超级结MOSFET功率器件芯片60和IGBT功率器件芯片50封装在同一个封装体内的打线结构示意图，如图1所示，本技术提供的一种半导体功率器件中：超级结MOSFET功率器件芯片60的源极(源极pad层)61和栅极(栅极pad层)63、以及IGBT功率器件芯片50的发射极(发射极pad层)51分别通过金属导线70、金属导线71、金属导线72电性连接封装体的发射极引脚81；超级结MOSFET功率器件芯片60的漏极与IGBT功率器件芯片50的集电极均电性连接封装体的集电极引脚82(超级结MOSFET功率器件芯片60的漏极金属层与IGBT功率器件芯片50的集电极金属层均是位于其芯片的背面，从而均与封装体中的金属框架直接接触连接至集电极引脚82，而不需要打线)；IGBT功率器件芯片50的栅极(栅极pad层)53通过金属导线73电性连接封装体的栅极引脚83。
[0016]本技术将超级结MOSFET功率器件芯片60和IGBT功率器件芯片50封装在同一个封装体内，将超级结MOSFET功率器件芯片60的栅极63电性连接到封装体的发射极电极81上，用超级结MOSFET功率器件芯片60作为IGBT功率器件芯片50的反并联二极管，超级结MOSFET功率器件芯片60作为二极管时的正向导通电压较低，可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。
[0017]需要说明的是，图1中的超级结MOSFET功率器件芯片60和IGBT功率器件芯片50仅是示例性的结构，根据不同的设计要求，超级结MOSFET功率器件芯片60和IGBT功率器件芯50均可以有不同的芯片尺寸和耐压，也可以均有不同的pad层形状或结构。此外，超级结MOSFET功率器件芯片60和IGBT功率器件芯片50也都可以内置栅极电阻。
[0018]本技术的一种半导体功率器件中的超级结MOSFET功率器件芯片可以为平面栅结构的超级结功率晶体管，也可以为沟槽栅结构的超级结功率晶体管。本技术对超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片的类型及结构不作限制。
[0019]以上具体实施方式及实施例是对本技术技术思想的具体支持，不能以此限定本技术的保护范围，凡是按照本技术提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何等同变化或等效的改动，均仍属于本技术技术方案保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体功率器件，其特征在于，包括：封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片，其中：所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连接所述封装体的集电极引脚；所述超级结MOSFET功率器件芯片的源极和栅极、以及所述IGBT功率器件芯片的发射极均电性连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚轶，刘磊，刘伟，袁愿林，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：