封装结构及制备方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及制备方法，所述封装结构包括：下部封装体，设置于所述下部封装体上方的上部封装体，以及设置于所述下部封装体和所述上部封装体之间的第一重布线堆叠层，所述第一重布线堆叠层电性连接所述下部封装体和上部封装体；所述下部封装体包括第一预制重布线堆叠层和围绕所述第一预制重布线堆叠层周边的第一塑封层；其中，所述第一预制重布线堆叠层中至少一层第一预制导电层的最小线宽线距小于所述第一重布线堆叠层中至少一层第一导电层的最小线宽线距。层第一导电层的最小线宽线距。层第一导电层的最小线宽线距。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及制备方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别关于一种封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]高速运算和人工智能的快速发展，对半导体芯片、封装体的封装提出更高的要求，特别是对封装基板提出了更高的要求，通常需要封装基板具有更窄的线宽/线距、更好的电压降控制。而传统的层压基板布线的线宽/线距通常在15um/15um左右，已经越来越不能满足应用于高速运算和人工智能的电子元器件所需要的高密度封装的需求。
[0003]另外，传统的层压基板技术在1)堆叠介电材料的供应；2)制造周期；3)小于10um的线宽距布线以及埋入芯片的良率控制；4)层压基板厚度等方面均存在较大的困难。
[0004]因此，需要提出一种新的封装结构及制备方法，克服传统的层压基板因厚度、线宽线距等因素不能满足应用于高速运算和人工智能的电子元器件所需要的高密度封装的需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种封装结构及制备方法，用于克服传统的层压基板的缺陷，能够满足电子元器件所需要的高密度封装的需求，以及降低封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：下部封装体，设置于所述下部封装体上方的上部封装体，以及设置于所述下部封装体和所述上部封装体之间的第一重布线堆叠层，所述第一重布线堆叠层电性连接所述下部封装体和上部封装体；所述下部封装体包括第一预制重布线堆叠层和围绕所述第一预制重布线堆叠层周边的第一塑封层；其中，所述第一预制重布线堆叠层中至少一层第一预制导电层的最小线宽线距小于所述第一重布线堆叠层中至少一层第一导电层的最小线宽线距。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一预制重布线堆叠层包括磁性薄膜层，所述磁性薄膜层层叠于所述第一预制重布线堆叠层中的第一基材层的上方，或者，所述磁性薄膜层层叠于所述第一预制重布线堆叠层中第一介电层的上方，其中，所述第一预制重布线堆叠层、所述磁性薄膜层以及所述第一重布线堆叠层构成所述封装结构的电感器。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上部封装体包括：设置于所述第一重布线堆叠层上方的互联芯片封装层，设置于所述互联芯片封装层上方的第二重布线堆叠层，以及，设置于所述第二重布线堆叠层上方的具有芯片和/或器件封装体的封装层；所述互联芯片封装层包括若干互联导通柱、互联芯片和第二塑封层，所述第二塑封层于所述第一重布线堆叠层上方塑封所述若干互联导通柱和所述互联芯片，每一互联导通柱的两端电性连接所述第一重布线堆叠层和所述第二重布线堆叠层；所述具有芯片和/或器件封装体的封装层包括芯片和/或器件封装体以及第三塑封层，所述芯片和/或器件封装体倒装键合于所述第二重布线堆叠层上，所述第三塑封层塑封所述芯片和/或器件封装体于所述第二重布线堆叠层上方；其中，所述互联芯片正装键合于所述第一重布线堆叠层上，所述互联芯片朝向所述第二重布线堆叠层一侧的表面上包括互联重布线堆叠层，所述互联重布线堆叠层中至少一层导电层的最小线宽线距小于2μm，且所述互联重布线堆叠层还包括至少一个电容。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述互联芯片内设有沟槽式电容。5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述互联芯片设有互联过孔，所述互联重布线堆叠层通过所述互联过孔与所述芯片本体靠近所述第一重布线堆叠层的连接焊盘电性连接，于所述第一重布线堆叠层。6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，还包括至少一个第一电容器和/或至少一个第二电容器；所述至少一个第一电容器埋设于所述第一预制重布线堆叠层内或者所述第一塑封层内，所述封装结构的厚度方向上，所述至少一个第一电容器位于所述上部封装体中的芯片和/或器件封装体的下方；所述至少一个第二电容器埋设于所述第二塑封层和/或第三塑封层内；其中，所述至少一个第一电容器和所述第一预制重布线堆叠层电性连接；所述至少一个第二电容器电性连接所述第一重布线堆叠层和/或所述第二重布线堆叠层。7.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，还包括至少一个第一虚拟元件和/或
至少一个第二虚拟元件；其中，所述至少一个第一虚拟元件设置于所述第一重布线堆叠层上方，且位于所述第一重布线堆叠层的角落或者周边；所述至少一个第二虚拟元件设置于所述第二重布线堆叠层上方，且位于所述第二重布线堆叠层的角落或者周边。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述下部封装体还包括：复合中介块，所述复合中介块设置于所述下部封装体的边缘和/或角落，与所述第一塑封层相邻，所述复合中介块包括导电结构和包覆于所述导电结构外侧的介电包覆层，所述导电结构的一侧电性连接所述第一重布...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，徐晨，刘硕，杨丹凤，周莎莎，陈雪晴，何晨烨，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：